pmos防反接電路設(shè)計(jì),電路原理圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-08-23
當(dāng)希望板內(nèi)電源的負(fù)極與電源入口的負(fù)極直接接通時(shí)，可以使用PMOS防反接電路，電路圖如圖所示，由于寄生二極管的存在，當(dāng)電源正接時(shí)，Vs=Vd-0.7V，此時(shí)D7被擊穿，故Vgs<Vth，從而PMOS接通。當(dāng)入口電源反接時(shí)，Vs=Vg，故PMOS不接通。
使用PMOS時(shí)需要注意：
PMOS的VDS應(yīng)當(dāng)滿足最高反向電壓的電壓要求，否則寄生二極管可能被擊穿；
PMOS的Rds(on)帶來的壓降會(huì)導(dǎo)致電源電壓降低，降低幅度是否可以滿足要求。
PMOS用作電源開關(guān)，將負(fù)載與電源連接或斷開，在正確連接電源期間，MOSFET由于正確的VGS(柵極到源極電壓)而導(dǎo)通，但在反極性情況下，柵極到源極電壓太低而無法導(dǎo)通MOSFET并將負(fù)載與輸入電源斷開。
100R電阻是與齊納二極管相連的MOSFET柵極電阻，齊納二極管保護(hù)柵極免受過壓。
MOSFET選擇的主要參數(shù)
DS漏源電阻(RDS)：使用極低的RDS(漏源電阻)以實(shí)現(xiàn)低散熱和極低的輸出壓降，更高的RDS將產(chǎn)生更高的熱耗散。
D漏極電流：通過MOSFET的最大電流，如果負(fù)載電流需要2A電流，選擇能夠承受該電流的MOSFET。在這種情況下，漏極電流為3A的MOSFET是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。選擇比實(shí)際需要大的參數(shù)。
DS漏源電壓：DS漏源電壓需要高于電路電壓。如果電路需要最大30V的電壓，則需要漏源電壓為50V的MOSFET才能安全運(yùn)行，始終選擇大于實(shí)際需要的參數(shù)。反接時(shí)，MOSFET會(huì)因Vgs不足而關(guān)斷，對(duì)負(fù)載電流和MOSFET都沒有影響。
以上參數(shù)在正常情況下都是需要的，需要謹(jǐn)慎選擇。
齊納二極管電壓的選擇：
每個(gè)MOSFET都帶有一個(gè)Vgs（柵極到源極電壓）。如果柵極到源極電壓增加超過最大額定值，這可能會(huì)損壞MOSFET柵極。因此，選擇一個(gè)不會(huì)超過MOSFET柵極電壓的齊納二極管電壓。對(duì)于10V的Vgs，9.1V齊納二極管就足夠了。確保柵極電壓不應(yīng)超過最大額定電壓。
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