COOLMOS

長(cháng)期以來(lái)，提高電源體系功率密度，功率以及體系的可靠性一直是研制人員面對的重要課題。提高電源的開(kāi)關(guān)頻率是其間的辦法之一，可是頻率的提高會(huì )影響到功率器材的開(kāi)關(guān)損耗，使得提高頻率對硬開(kāi)關(guān)拓撲來(lái)說(shuō)效果并不十分顯著(zhù)，硬開(kāi)關(guān)拓撲現已達到了它的規劃瓶頸。

1、Coolmos選型

一般選擇一顆MOS大致看以下幾個(gè)參數BVIdRdsVthQgPd等?？墒沁@幾個(gè)參數，只要Qg和Id是交流參數，其他都是靜態(tài)參數。而半導體這東西就是隨溫升變壞的。那動(dòng)態(tài)參數，其實(shí)是變壞的。25度的電流是100A，或許125度的時(shí)分，電流只要50A，所以選型的時(shí)分要以高溫下(老化房)的數據為準。那選好了電壓、電流，剩余就是看Coolmos的損耗了。Coolmos在外表的是Rdson較低，只要平面管的1/3或者1/4，那MOS的導通損耗必定較之平面管要低不少。MOS的別的一個(gè)損耗，開(kāi)關(guān)損耗其實(shí)往往愈加占主導。開(kāi)關(guān)損耗在MOS里最直接表現的數值是Trr。這也是Coolmos最中心的參數。從coolmos的開(kāi)展來(lái)看C3C6CPCFDCFD2都是在Trr上下功夫(C6在外，他是C3的Costdown)。你是電源規劃者，Trr的合理運用，你比我清楚。Coolmos在實(shí)踐使用中，MOS前段的Rg驅動(dòng)，一般對電阻要求會(huì )低許多。這也能下降損耗。舉個(gè)比如，20N60C3MOS前段的驅動(dòng)電阻一般可做到15mohm以下，可是也不是越低越好，開(kāi)關(guān)越高，EMI的問(wèn)題就出來(lái)了。所以驅動(dòng)電阻的選擇要綜合考慮，在EMI允許的情況下，盡量下降驅動(dòng)電阻。

2.Coolmos選用散熱辦法

只能說(shuō)要看功率，舉個(gè)比如，150W的LED電源上，你覺(jué)得能夠不加散熱嘛?15W的LED電源上，加散熱裝置，那有當地么?Coolmos，在使用端，處理了有的電源計劃需求電子器材更小的體積，甚至是去掉散熱片(如Iphone的充電器)，而大功率上垂青Coolmos的仍是他能下降損耗，所以散熱片是一定要加的。

3.Coolmos使用

現在在國內使用仍是十分片面的，任重而道遠。舉個(gè)比如，在一個(gè)70W的筆記本適配器上，許多仍是用的20A的平面管(或者是16A)，可是我們知道實(shí)踐電路里的有用電流其實(shí)很小，用20A僅僅垂青他的低內阻，下降損耗，下降溫升。如果運用Coolmos，以為還需求16A的，那平等電流，價(jià)格必定不可比的。其實(shí)呢，Coolmos10A滿(mǎn)足去代替了。開(kāi)關(guān)損耗，Coolmos要較平面管低許多，內阻的話(huà)Coolmos的10A較之16A的平面也不會(huì )高多少，在高溫下，根本內阻是共同的。(有機會(huì )發(fā)個(gè)試驗數據，16A的平面管和10A的Coolmos在100度下，內阻是相差不多的條件，帶負載，表現開(kāi)關(guān)損耗低的特色)。

4.總結

MOS在開(kāi)展，損耗會(huì )越來(lái)越低。電源計劃只會(huì )像更高功率和更小體積開(kāi)展。

Coolmos的主旨是尋求：開(kāi)關(guān)最低損耗。在Coolmos上，是經(jīng)過(guò)P柱，構成更大的PN結，然后下降Rds?？墒蔷秃孟衲阒v的，Coolmos，下降了Rds，所以他的EAS才能較之平面管要低，這也對電源規劃者提出了更高的要求?？墒俏覀兌贾?，能用得起Coolmos的電源，根本稱(chēng)之為高級電源，那計劃的規劃必定是精雕細鏤的。

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