mos管經(jīng)常燒壞的原因以及解決方法-KIA MOS管

MOS管經(jīng)常燒壞的原因主要包括過(guò)電壓、過(guò)電流、靜電放電、高溫、開(kāi)關(guān)損耗過(guò)大、擊穿（交叉傳導）、沒(méi)有續流電流路徑等。

過(guò)電壓

過(guò)電壓是指電路中電壓突然增加至遠遠超過(guò)功率MOS管承受范圍的情況，電源電壓異常、開(kāi)關(guān)電路失效、電感和電容器反復開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的反向電壓等現象都會(huì )導致過(guò)電壓的產(chǎn)生。

因為MOS管對電壓的耐受性非常小，所以即使超出額定電壓僅幾納秒，也很容易導致設備損壞，因此MOS管的額定電壓應保守考慮預期的電壓水平，并且需要注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。

過(guò)電流

過(guò)電流是指電路中電流突然增加至遠遠超過(guò)功率MOS管承受范圍的情況，輸出負載過(guò)大、開(kāi)關(guān)電路失效、電感和電容器反復開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的反響電流都會(huì )導致過(guò)電流的產(chǎn)生。

因為導通電阻相對較高，高平均電流會(huì )在MOS管中引起較大的熱耗散，所以高電流且散熱不良，MOS管將因高溫而被燒壞，最佳解決方法是可直接并聯(lián)方式以共享高負載電流。

靜電放電和高溫

MOS管對靜電放電敏感，尤其是在與其他元件或人體之間發(fā)生的電荷交換現象，如果靜電放電能量過(guò)大，會(huì )導致MOS管的擊穿或損壞。同時(shí)，MOS管在高溫環(huán)境下工作時(shí)，會(huì )降低其電性能，進(jìn)而引起燒壞。

因此，要保證焊接點(diǎn)的質(zhì)量和穩定性。避免出現虛焊、冷焊等現象。也要關(guān)注散熱問(wèn)題，通過(guò)加裝散熱片、風(fēng)扇等散熱裝置來(lái)降低高溫問(wèn)題。

開(kāi)關(guān)損耗過(guò)大

由于開(kāi)關(guān)損耗往往大于導通狀態(tài)損耗，如果損耗超出了MOS管的承受范圍，就會(huì )導致?lián)p壞。這要求在設計電路時(shí)，需要合理選擇電路元件，確保電路的穩定性和可靠性。

擊穿（交叉傳導）

如果兩個(gè)相對的MOS管的控制信號重疊，可能會(huì )出現兩個(gè)MOS管同時(shí)導通的情況，使電源短路，即擊穿條件。這會(huì )導致電源去耦電容通過(guò)兩個(gè)器件快速放電，使通過(guò)兩個(gè)開(kāi)關(guān)設備的電流脈沖非常短但非常強，從而損壞設備。

沒(méi)有續流電流路徑

當通過(guò)任何電感負載切換電流時(shí)，如果沒(méi)有為該電流提供續流路徑，可能會(huì )導致MOS管損壞。這要求工程師在設計電路時(shí)，必須為此電流提供續流路徑，例如通過(guò)與每個(gè)開(kāi)關(guān)器件反并聯(lián)連接的續流二極管。

為了避免MOS管燒壞，需要采取措施解決和防范過(guò)電壓現象，合理設計電路，選擇合適的元件，并加強電路維護，以確保電路的穩定性和可靠性。

MOS管控制端柵極串聯(lián)電阻是否過(guò)大？

雖然MOS管屬于電壓控制型器件，但是該電阻不能省，串聯(lián)該電阻起到隔離保護作用。

若該電阻太大，因為MOS管會(huì )有結電容，管子太大充電速度慢，管子很長(cháng)時(shí)間達不到飽和開(kāi)通狀態(tài)，從而過(guò)熱燒毀。該電阻阻值一般10k以?xún)燃纯伞?/span>

若為正反轉控制電機驅動(dòng)電路，如下圖4個(gè)二極管不能省，這4個(gè)二極管屬于電機線(xiàn)圈續流二極管，用于保護控制電路，若控制管使用的是MOS管，其內部一般會(huì )有寄生二極管，不需要外接。

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