反激式開(kāi)關(guān)電源mos管電壓電流波形詳解-KIA MOS管

反激式開(kāi)關(guān)電源電壓電流波形分析

反激開(kāi)關(guān)電源主要包括電源輸入電路、MOS驅動(dòng)電路、RCD吸收電路、電源輸出電路、電壓反饋控制電路等。

下面結合原理圖，試分析反激開(kāi)關(guān)電源在不連續模式DCM穩態(tài)時(shí)各關(guān)鍵點(diǎn)的電壓和電流的開(kāi)關(guān)波形，不涉及具體元件參數數值。

在MOS管Q1導通時(shí)，變壓器L1初級繞組充電。在MOS管關(guān)斷時(shí)，初級繞組存儲的能量向次級繞組傳遞。

左圖為MOS管驅動(dòng)電路相關(guān)波形的示意圖（電流不連續模式DCM），其中Uin對應上圖的V1，Ugs對應上圖A點(diǎn)電壓波形。右圖是某反激開(kāi)關(guān)電源實(shí)測波形，僅體現了初級繞組電流及MOS管DS壓降。

左圖的Uds波形有兩處振蕩波形，分別由初級繞組漏感Llk與MOS管寄生電容Coss諧振產(chǎn)生，由初級繞組電感Lm與MOS管寄生電容Coss諧振產(chǎn)生。由于初級繞組漏感Llk相比初級繞組電感Lm要小得多，比如說(shuō)前者是后者的1%~5%，所以第一處諧振波形的頻率比第二處要高得多。第一處電壓諧振波形逐漸恢復至穩定狀態(tài)，此時(shí)Uds電壓幅值為次級反射電壓。第二處開(kāi)始諧振時(shí)，MOS管處于斷態(tài)，輸出二極管處于斷態(tài)，次級繞組電流為零。

RCD吸收電路波形 當MOS關(guān)斷時(shí)，RCD吸收電路的作用是吸收MOS管DS兩端的電壓尖峰，防止MOS管D極被Uds電壓尖峰擊穿損壞或影響MOS管的使用壽命。

Uc表示鉗位電容C2兩端電壓，其電壓不應超過(guò)設計的Uclamp鉗位電壓設計值（已經(jīng)忽略了二極管正向導通壓降），使得Uclamp+Uin＜80%×MOS管DS耐壓。注意下右圖的V軸幅值不是以0V為起始點(diǎn)的，是以Uin為起始點(diǎn)的。

電源輸出電路波形 當電源處于穩態(tài)時(shí)，在ton時(shí)刻，MOS管導通，初級繞組的電感電流線(xiàn)性增加，電容Co向負載RL供電，見(jiàn)下圖電容放電電流Ic1路徑。因為反激開(kāi)關(guān)電源所用變壓器的初級繞組和側邊繞組的同相端是相反的。在ton時(shí)刻，初級繞組為抑制電流增大，初級繞組感應電壓上正下負，側邊繞組Lp的感應電壓上負下正，二極管D1處于截止狀態(tài)。

在toff時(shí)刻，MOS關(guān)斷，初級繞組存儲的能量向次級繞組傳送，初級繞組為維持原電流方向，初級繞組感應電壓上負下正，次級繞組的感應電壓上正下負，二極管D1處于導通狀態(tài)，次級繞組經(jīng)二極管D1向電容Co和負載RL供電。

右下圖是某開(kāi)關(guān)電源輸出電壓紋波電壓實(shí)測結果。所以在ton時(shí)刻，電容Co兩端電壓波形時(shí)間對應Ic1電流放電時(shí)間。在toff時(shí)刻，電容Co兩端電壓波形時(shí)間對應Ic2電流充電時(shí)間。

電壓反饋控制電路波形 在這部分電路，通常使用開(kāi)環(huán)系統傳遞函數的伯德圖，結合伯德圖的穩定性判據去討論和判斷開(kāi)關(guān)電源的穩定性。

足夠的幅值裕度和相位裕度是必要的，否則開(kāi)關(guān)電源系統的動(dòng)態(tài)響應特性比較差，或者輸出電壓出現振蕩。

下圖是開(kāi)關(guān)電源電壓控制頻率補償回路傳遞函數伯德圖，相位裕度大于90°，低頻增益為40 dB，中頻增益為20dB，經(jīng)過(guò)實(shí)測，輸出電壓是穩定的，動(dòng)態(tài)響應特性好。

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