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MOS管熱阻計算、測量方法圖文分享-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-05-22 

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MOS管熱阻計算、測量方法圖文分享-KIA MOS管


MOS管熱阻計算

MOS管熱阻的計算公式:

Rth = (Tj- Ta) / P。

其中,Rth為MOS管的熱阻,單位為°C/W;Tj為MOS管的結(jié)溫,單位為°C;Ta為MOS管的環(huán)境溫度,單位為°C;P為MOS管的功率損耗,單位為W。


MOS管的熱阻計算涉及以下方面:

穩(wěn)態(tài)熱阻:

穩(wěn)態(tài)熱阻是指在穩(wěn)定工作狀態(tài)下,兩測量點之間的溫差與通過散熱面的能量之比。

公式為:[ R_{\Theta} = \frac{\Delta T}{Pd} ] 其中,[ \Delta T ] 是溫差,[ Pd ] 是單位時間內(nèi)通過散熱面的能量。穩(wěn)態(tài)熱阻是一個反映散熱體散熱性能的參數(shù),其值越大,散熱越慢。


瞬態(tài)熱阻:

瞬態(tài)熱阻用于衡量電路中開關(guān)時刻、浪涌時刻等瞬間的與散熱相關(guān)的能力。它反映了散熱體在熱慣性的作用下,在熱傳遞過程中對熱阻的改變。瞬態(tài)熱阻的定義是在某一時間間隔末尾,兩測試點的溫度變化與引起這一變化的耗散功率之比。


MOS管的熱阻參數(shù):

數(shù)據(jù)手冊中通常提供的熱阻參數(shù),如RJA或RBJC,是指從MOS管的結(jié)溫到周圍環(huán)境的熱阻。例如,RBJC表示MOS管結(jié)溫到表面的熱阻。


計算方法示例:

對于給定的MOS管,可以使用其數(shù)據(jù)手冊中提供的熱阻參數(shù)(如RJA=62℃/W)來計算溫升。例如,當MOS管以5A的電流工作時,可以計算溫升為[ Pd * Rja = I^2 * Rds(on) * Rja ]。


散熱條件的影響:

不同的散熱條件(如MOS管是否焊接到PCB或直接暴露在空氣中)會影響其散熱性能,從而影響熱阻的計算。例如,焊接到PCB上的MOS管相比直接暴露在空氣中的MOS管具有更小的熱阻。


封裝類型的影響:

不同封裝的MOS管(如To-220封裝)在計算熱阻時需要考慮不同的散熱路徑和條件。例如,如果不使用散熱器,需要使用Rja來計算溫度。


MOS管熱阻的測量方法

穩(wěn)態(tài)熱阻:兩處測量點溫差△T,單位時間內(nèi)通過散熱面的能量為Pd,熱阻RΘ=△T/Pd,單位℃/W。它是一個反映了散熱體散熱性能的參數(shù)。熱阻越大,散熱越慢。(字面意思理解也很簡單,阻礙熱量傳遞的能力)


瞬態(tài)熱阻:因為電子器件的溫升并不一定非常平滑。峰值溫度往往比平均溫度更加致命。所以峰值溫度成為了限制器件工作特性的主要因素。

MOS管熱阻,計算,測量

溫度的峰值往往出現(xiàn)在脈沖寬度tp較短,占空比D低的情況下,這說明器件的溫升不僅僅與Pd相關(guān)了,還和脈沖寬度、脈沖形狀(方波、鋸齒波、正弦波這種的典型波形)、頻率等有關(guān)聯(lián)。穩(wěn)態(tài)熱阻的局限性就顯現(xiàn)出來了。所以引入了瞬態(tài)熱阻,用來衡量電路中開關(guān)時刻、浪涌時刻等瞬間的與散熱相關(guān)的能力。


瞬態(tài)熱阻的定義:在某一時間間隔的末尾,兩處測試點的溫度變化與引起這一變化的,在該時間間隔開始時按階躍函數(shù)變化的耗散功率之比。ZΘ=r(tp,D)RΘ


r(tp,D)表示脈沖寬度與占空比之間的一個比例。不難看出瞬態(tài)熱阻與穩(wěn)態(tài)熱阻具有關(guān)聯(lián)性。瞬態(tài)熱阻反映了散熱體在熱慣性的作用下,在熱傳遞的過程中對熱阻的改變。


2、結(jié)溫與殼溫

MOS管熱阻,計算,測量

3、測試電路

MOS管熱阻,計算,測量

萬用表測得數(shù)據(jù)記為UR;

Mos體二極管電壓、電流記為Uf,If;

電源電壓記為U。


測量mos熱阻

第一步:將電路板置于溫箱中,類似于下圖設(shè)備。主要是為了保證靜態(tài)無風狀態(tài)。加熱后,使其內(nèi)部達到熱平衡。即Tj=Tc。這個溫度(T1)不能過低,因為溫度過低,結(jié)溫和殼溫不可能相同。


電路中使用的電阻R為2KΩ,緩慢調(diào)節(jié)電源電壓U至20.7V時(二極管通態(tài)壓降為0.6-0.8左右),mos的體二極管電流If達到10mA。


保持U不變,提高溫度,記錄UR與對應(yīng)溫度。根據(jù)Uf=U-UR,得出數(shù)據(jù);


第二步:將溫箱溫度調(diào)回T1,并放入一個熱電偶測量溫箱內(nèi)環(huán)境溫度Ta,進一步確認數(shù)據(jù)準確性。再連接一個熱電偶至MOS,測量殼溫Tc。當然實際測量的mos應(yīng)該已經(jīng)焊接在電路板上了。


在保持溫箱溫度不變的情況下。提升If(提高 U),記錄萬用表讀數(shù)Uf。根據(jù)Pd=Uf*If得到不同時刻的耗散功率。


第三步,迅速降低If至10mA。即將電源電壓U降低至20.7V。記錄此時的Uf后,去第一步中收集的表格里,找對應(yīng)的溫度,即Tj。


最終,按照公式計算熱阻:

結(jié)到殼的熱阻RΘjc=(Tj-Tc)/Pd

殼到環(huán)境的熱阻RΘca=(Tc-Ta)/Pd

結(jié)到環(huán)境的熱阻RΘja=(Tj-Ta)/Pd

這種方法是實驗室粗略估計熱阻的一種方式。


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