mos管尖峰吸收電路,MOS管開關(guān)電路-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-05-17
MOS管開關(guān)電路尖峰電流吸收電路分析：
說明：此種方法雖然能夠使支路上的電流削峰，但同時(shí)導(dǎo)致了開關(guān)速率變慢，謹(jǐn)慎參考，還需優(yōu)化。
由于MOS管極間寄生電容的存在，尤其是漏極/柵極電容，導(dǎo)致了MOS管開關(guān)產(chǎn)生了電流尖峰，而電流尖峰可以看成是一個沖激信號，根據(jù)傅里葉變換可知，沖激信號在頻域范圍很寬，繼而此開關(guān)電路可能會影響后續(xù)硬件測試，例如功放中引入雜波。
電路如下，其中R7接信號發(fā)生器（1KHz方波），控制MOS管通斷，R12和二極管D1是MOS管寄生電容放電電路：
觀察可以發(fā)現(xiàn)，R7與R12上有著尖峰電流。
此時(shí)分析如下，由于每次寄生電容放電以及二極管的反向恢復(fù)電流會產(chǎn)生尖峰電流，現(xiàn)去掉二極管，并在MOS管柵極和源極接入電容C2和電阻R6，使得每次低電平來時(shí)，寄生電容放電給電容C2充電，以此削峰。
但需要注意的是開關(guān)時(shí)間從原來的20us延長至了100us，不適合高速電路了。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
