mos管并聯(lián)均流電路詳解,電路圖分享-KIA MOS管

mos管并聯(lián)均流分析

MOS管并聯(lián)方法，為了使并聯(lián)電路中每個(gè)MOS管盡可能的均流，在設(shè)計(jì)并聯(lián)電路時(shí)需要考慮如下要素 ：

1、飽和壓降VDs或?qū)≧DSon：對(duì)所有并聯(lián)的MOS管而言，導(dǎo)通時(shí)其管壓降是相同的，其結(jié)果必然是飽和電壓小的MOS管先流過(guò)較大的電流，隨著結(jié)溫的升高，管壓降逐漸增大，則流過(guò)管壓降大的MOS管的電流又會(huì)逐漸增大，從而減輕管壓降小的MOS管的工作壓力。因此，從原理上講，由于N溝道功率型MOS管的飽和壓降VDs或?qū)娮鑂DSon具有正的溫度特性，是很適合并聯(lián)的。

2、開啟電壓VGS（th）：在同一驅(qū)動(dòng)脈沖作用下，開啟電壓VGS（th）的不同，會(huì)引起MOS管的開通時(shí)刻不同，進(jìn)而會(huì)引起先開通的MOS管首先流過(guò)整個(gè)回路的電流，如果此時(shí)電流偏大，不加以限制，則對(duì)MOS管的安全工作造成威脅；

3、開通、關(guān)斷延遲時(shí)間Td（on）、td（off）；開通上升、關(guān)斷下降時(shí)間tr、tf：同樣，在同一驅(qū)動(dòng)脈沖作用下，td（on）、td（off）、tr、tf的不同，也會(huì)引起MOS管的開通／關(guān)斷時(shí)刻不同，進(jìn)而會(huì)引起先開通／后關(guān)斷的MOS管流過(guò)整個(gè)回路的電流，如果此時(shí)電流偏大，不加以限制，則同樣對(duì)MOS管的安全工作造成威脅。

4、驅(qū)動(dòng)極回路的驅(qū)動(dòng)輸入電阻、等效輸入電容、等效輸入電感等，均會(huì)造成引起MOS管的開通／關(guān)斷時(shí)刻不同。從上所述，可以看出，只要保證無(wú)論在開通、關(guān)斷、導(dǎo)通的過(guò)程流過(guò)MOS管的電流均使MOS管工作在安全工作區(qū)內(nèi)，則MOS管的安全工作得到保障。為此，本文提出一種MOS管的新的并聯(lián)方法，著重于均流方面的研究，可有效的保證MOS管工作在安全工作區(qū)內(nèi)，提高并聯(lián)電路的工作可靠性。

mos管并聯(lián)均流電路

1.NMOS高端驅(qū)動(dòng)：MOS管可以用來(lái)控制電源的上電時(shí)序，使一端從另一端獲得電流。當(dāng)電路中電流很大時(shí)，由于同性能的NMOS導(dǎo)通電阻小于PMOS，因此驅(qū)動(dòng)電路一般采用NMOS，應(yīng)用時(shí)需要確保柵極驅(qū)動(dòng)電壓高于源極電壓。

2.NMOS低端驅(qū)動(dòng)：NMOS用于低端驅(qū)動(dòng)時(shí)，NMOS的源極接地，只要在柵極加載一定驅(qū)動(dòng)電壓，就可以驅(qū)動(dòng)NMOS的漏極和源極導(dǎo)通了。

3.PMOS高端驅(qū)動(dòng)：PMOS用于高端驅(qū)動(dòng)時(shí)，源極接外接電源，漏極接后續(xù)負(fù)載，控制柵極電位為低電平時(shí)，PMOS導(dǎo)通，PMOS具有較大的導(dǎo)通電阻，價(jià)格比NMOS貴。不同于BJT管，MOS管具有正溫度系數(shù)，溫度升高時(shí)，導(dǎo)通阻抗會(huì)逐漸變大，如下圖所示：

根據(jù)MOS管的這一特性適合并聯(lián)電路中的均流，因此當(dāng)電路中的電流很大時(shí)，一般會(huì)采用并聯(lián)MOS的方法來(lái)進(jìn)行分流。如下圖所示為并聯(lián)MOS管實(shí)現(xiàn)電流均衡電路。

如上圖電路，采用MOS進(jìn)行電流均流，當(dāng)其中一路電流大于另一路MOS中的電流時(shí)，電流大的MOS產(chǎn)生的熱量就會(huì)多，從而引起導(dǎo)通阻抗的增大，減小流過(guò)的電流。MOS管之間根據(jù)電流大小的不同來(lái)反復(fù)調(diào)節(jié)，最后可實(shí)現(xiàn)兩個(gè)MOS管之間電流的均衡。注意：兩個(gè)MOS管要完全一致，散熱過(guò)孔一致、布局一致、共用散熱片，確保工作環(huán)境一致。

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