光耦隔離mos管驅(qū)動(dòng)電路,光耦隔離驅(qū)動(dòng)-KIA MOS管

光耦隔離mos管驅(qū)動(dòng)電路

MOS管本身有Cgs，Cgd，Cds寄生電容，這是由制作工藝決定的。MOS管的開通和關(guān)斷其實(shí)就是對(duì)Cgs充放電的過程。開啟時(shí)通過柵極R1電阻對(duì)Cgs充電，充電時(shí)間常數(shù)=R1*Cgs。所以R1較大的話，時(shí)間常數(shù)就大了，這樣如果頻率很高的話，在脈寬的時(shí)間內(nèi)管子很可能無法正常導(dǎo)通，或者輸出波形嚴(yán)重畸變。

下圖是一款普通的直接驅(qū)動(dòng)型電路。

光耦隔離,mos管,驅(qū)動(dòng)

開關(guān)頻率1KHZ時(shí)輸出波形圖，波形還算完美；開關(guān)頻率5KHZ時(shí)輸出波形圖，波形嚴(yán)重失真。

光耦隔離,mos管,驅(qū)動(dòng)

這個(gè)電路的R2是Cgs寄生電容的泄放電阻，其兩個(gè)功能，一是防止MOS管由于靜電積累的電荷沒有釋放回路，引起靜電擊穿；二是在MOS關(guān)斷時(shí)給Cgs寄生電容一個(gè)快速放電的回路，提高關(guān)斷速度，泄放電阻一般取值為10K，也可根據(jù)實(shí)際情況做調(diào)整，阻值大，MOS關(guān)斷速度慢。

這個(gè)電路有一個(gè)很大的缺點(diǎn)就是，當(dāng)開關(guān)信號(hào)在3KHZ以上時(shí)MOS明顯跟不上了，輸出波形變形嚴(yán)重，原因就是Cgs寄生電容中充的電不能及時(shí)放掉，減少R2的值可以緩解這種問題，但是一般情況不能把這個(gè)電阻改太小，所以電路還需要進(jìn)一步改進(jìn)。

改進(jìn)后的電路

光耦隔離,mos管,驅(qū)動(dòng)

這個(gè)電路加入了一個(gè)三極管Q2來輔助Cgs寄生電容的泄放電荷，可以大大縮短MOS的關(guān)斷時(shí)間。其原理是當(dāng)MOS要關(guān)斷瞬間，Cgs寄生電容電壓是電源電壓，三極管的e極連接的是Cgs寄生電容的負(fù)極，三極管的b極經(jīng)R10連接Cgs寄生電容的正極為高電平，所以三極管Q2導(dǎo)通，形成放電回路，Cgs寄生電容的電荷經(jīng)Q2---R4快速放電，同時(shí)也經(jīng)R2進(jìn)行放電，迅速消耗Cgs寄生電容的電荷，減少M(fèi)OS的關(guān)斷時(shí)間，提高M(jìn)OS的開關(guān)頻率。

開關(guān)頻率1KHZ時(shí)輸出波形圖，波形完美；開關(guān)頻率10KHZ時(shí)輸出波形圖，波形還算完美。

光耦隔離,mos管,驅(qū)動(dòng)