mos管防反接電路圖,防反接電路原理-KIA MOS管

mos管防反接電路原理

優(yōu)點(diǎn)：占地面積小，成本低，壓降小，可過(guò)大電流。

原理：PMOS、NMOS做反接保護(hù)的原理都一樣，以PMOS的電路為例。

PMOS：-電源極性正常接入時(shí)。Q2的寄生二極管導(dǎo)通，右側(cè)S極的電壓為（24-0.7）=23.3V。

G極電壓為R9、R10的分壓24x（200/（100+200））=16V。

于是Q2的Vgs=16-23.3=-7.3V。

大于AO3401的門(mén)極導(dǎo)通閥限電壓-1.3V，MOS管DS極導(dǎo)通。

MOS導(dǎo)通后，MOS的寄生二極管被DS短路。

此時(shí)的壓降Vds僅等于MOS-DS極內(nèi)阻x電流，Q2熱功耗很小。

-電源反接時(shí)，Q2的寄生二極管關(guān)斷，DS極需要承受電壓。

設(shè)計(jì)要點(diǎn)：R9、R10的取值，要保證不會(huì)超出最大Vgs電壓范圍，并且留有一定安全余量。

MOS管的選型，要考慮Vds、Vgs、DS極導(dǎo)通電阻（Rds-on）、DS極電流。

MOS盡量使用Rds-on小的型號(hào)。

P-MOS反接保護(hù)電路：

圖中R9、R10為分壓作用。使P-MOS的Vgs，不會(huì)超過(guò)±12V的最大Vgs電壓范圍，并且留有一定安全余量。

N-MOS反接保護(hù)電路：

圖中R9、R10為分壓作用。使N-MOS的Vgs，不會(huì)超過(guò)±12V的最大Vgs電壓范圍，并且留有一定安全余量。

mos管防反接電路圖

使用“P型”MOS管的防電源反接電路。

使用MOS管實(shí)現(xiàn)的防電源反接電路，在電源正確接入時(shí)，電源正常對(duì)負(fù)載供電。在電源正負(fù)極反接時(shí)，斷開(kāi)負(fù)載電路，從而保護(hù)負(fù)載。

電路分析（以Vin = 5V為例）

1、電源正確接入時(shí)

電源正常接入，也就是電源沒(méi)有正負(fù)反接，此時(shí)電源正常對(duì)負(fù)載供電。

假設(shè)拿掉MOS管g極的電阻R1，此時(shí)MOS管將不導(dǎo)通，但Vin可以通過(guò)MOS管的體二極管對(duì)負(fù)載進(jìn)行供電。

體二極管的壓降約為 5V - 4.3V = 0.7V。

實(shí)際上MOS管的g極是有電阻R1的，MOS管的g極通過(guò)電阻R1接到電源負(fù)極的GND。

在MOS管導(dǎo)通前，Vin的電壓依然通過(guò)MOS管體二極管串到Vout（也就是MOS管s極的電壓）。

而當(dāng)Vout從0上升到足夠高時(shí)（往往不需要到4.3V），已經(jīng)有足夠大的Vgs電壓將MOS管打開(kāi)，最終各點(diǎn)的電壓如下圖。

此時(shí)Vgs= Vg - Vs = 0 - 5V = -5V。

2、電源正負(fù)極反接時(shí)

由于MOS管g極電壓為5V --> 所以Vgs電壓大于0 --> MOS管不導(dǎo)通，且體二極管也反向截止 --> 電流不能形成回路 --> 負(fù)載被保護(hù)。

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