什么是高邊驅(qū)動？高邊驅(qū)動電路分享-KIA MOS管

高邊驅(qū)動

高邊驅(qū)動：開關(guān)位于電源和負(fù)載之間。

高邊驅(qū)動是指通過直接在用電器或者驅(qū)動裝置前通過在電源線閉合開關(guān)來實(shí)現(xiàn)驅(qū)動裝置的使能。高邊驅(qū)動形象點(diǎn)說，像在電路的電源端加了一個可控開關(guān)。高邊驅(qū)動就是控制這個開關(guān)的開關(guān)。

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高邊驅(qū)動簡單理解：負(fù)載的一端默認(rèn)與電路的負(fù)級即地保持連接，負(fù)載的另一端與開關(guān)連接，當(dāng)開關(guān)導(dǎo)通時，負(fù)載的另一端與電源連接，負(fù)載開始工作，當(dāng)開關(guān)與關(guān)斷時，負(fù)載的另一端與電源斷開，負(fù)載停止工作。高邊驅(qū)動（High Side Drivers），簡稱為HSD。

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高邊驅(qū)動電路

P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管和N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管都可以用作高邊驅(qū)動，兩者的結(jié)構(gòu)和工作原理都有所不同。

PMOS管作高邊驅(qū)動時，當(dāng)VGS < VTH，NMOS管打開導(dǎo)通，此時Vo輸出為高，可以驅(qū)動外部負(fù)載；當(dāng)VGS > VTH，NMOS管關(guān)閉，此時Vo輸出為低，輸出端關(guān)閉。

當(dāng)PMOS由打開到關(guān)閉的過程中，感性負(fù)載會一直放電，從而在下降過程中出現(xiàn)箝位。

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圖：PMOS作高邊驅(qū)動

NMOS管作高邊驅(qū)動時，當(dāng)VGS < VTH，NMOS管關(guān)閉，此時Vo輸出為低，輸出端關(guān)閉；當(dāng)VGS > VTH，NMOS管打開導(dǎo)通，此時Vo輸出為高，可以驅(qū)動外部負(fù)載，而NMOS導(dǎo)通時，VS近似為UB，故而VG須大于UB（13V），這便需要一個Pump將輸入端的電壓提高，如圖所示。

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