二極管伏安特性曲線特點圖文分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-04-25
二級管的完整伏安特性如上圖所示，說明如下：
（1） 在正偏時，當VD很小時，電流接幾乎為0。當VD增大到一定閾值后（圖中為0.7V左右），電流開始極快地以指數(shù)級增長（毫安級）。
（2） 在反偏時，反向飽和電流IS維持一個很小值（微安級），不隨反偏電壓變化。但是當反偏電壓達到反向峰值電壓PIV時，二極管反向擊穿，反向電流急速增長。
上面的曲線也可以用公式來描述，稱為肖克利方程：
各參數(shù)說明如下：
IS是反向飽和電流，一般通過查二極管的數(shù)據(jù)規(guī)格書得到，典型值在10-15~10-13A之間；
VD是偏置電壓，正偏時為正，反偏時為負；
n為理想因子，其值范圍可取1~2，一般我們取1；
VT為熱電壓，一般在常溫下約為26mV。
雖然肖克利方程提供了計算二極管電流值的方法，不過一般在實際中我們不太會真用它去計算，因為根據(jù)二極管實際的伏安特性曲線和根據(jù)理論計算出的值有較大差距，所以一般我們都是以二極管的數(shù)據(jù)規(guī)格書提供的實際數(shù)據(jù)和曲線為準。
正向特性(外加正向電壓，上圖中X坐標的正半部分)
當正向電壓超過某一數(shù)值后，二極管才有明顯的正向電流，該電壓值稱為導通電壓。
在室溫下，硅管的Ｖth約為0.5V，鍺管的Ｖth約為0.1V。大于導通電壓的區(qū)域稱為導通區(qū)。
當流過二極管的電流Ｉ比較大時，二極管兩端的電壓幾乎維持恒定，硅管約為0.6～0.8Ｖ（通常取0.7Ｖ），鍺管約為0.2～0.3V（通常取0.2Ｖ）。
反向特性(外加正向電壓，上圖中X坐標的負半部分)
在反向電壓小于反向擊穿電壓的范圍內，由少數(shù)載流子形成的反向電流很小，而且與反向電壓的大小基本無關。 此部分為截止區(qū)。
由二極管的正向與反向特性可直觀的看出：①二極管是非線性器件；②二極管具有單向導電性。
反向擊穿特性
當反向電壓增加到某一數(shù)值ＶBR時，反向電流急劇增大，這種現(xiàn)象叫做二極管的反向擊穿。
溫度影響：
溫度升高時，正向壓降減小，正向伏安特性左移。溫度每升高1℃，二極管的正向壓降減小2～2.5mV。
溫度升高時，反向電流大約增加一倍，反向伏安特性下移。溫度每升高10℃，反向電流大約增加一倍。
溫度降低時，二極管的正偏導通閾值電壓會升高，反偏電流會減小，反向擊穿電壓也減小。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯(lián)系刪除。
