亞閾值斜率詳解，亞閾值斜率計算公式-KIA MOS管

亞閾值斜率

亞閾值斜率S也稱亞閾值擺幅，其定義為亞閾值區(qū)漏端電流增加一個數(shù)量級所需要增大的柵電壓，反映了電流從關(guān)態(tài)到開態(tài)的轉(zhuǎn)換陡直度，具體對應(yīng)于采用半對數(shù)坐標的器件轉(zhuǎn)移特性曲線(I-Vos關(guān)系)中亞閾值區(qū)線段斜率的倒數(shù)。

亞閾值斜率,公式

上圖為長溝道器件中亞閾值斜率與硅膜厚度的關(guān)系。可見，當(dāng)硅膜較厚時，器件處于部分耗盡模式，亞閾值斜率與體硅類似，而且隨著溝道摻雜濃度的增大而增大。

當(dāng)硅膜較薄時，器件處于全耗盡模式，由于溝道區(qū)與襯底之間的隱埋氧化層隔離，亞閾值斜率接近理想情況(60mV/dec)，而且溝道摻雜濃度的增大，亞閾值斜率減小，由于全耗盡器件的耗盡層寬度取決于硅膜厚度，亞閾值斜率對硅膜厚度不太敏感。

亞閾值擺幅是衡量晶體管開啟與關(guān)斷狀態(tài)之間相互轉(zhuǎn)換速率的性能指標。器件的亞閾特性決定了器件從關(guān)態(tài)到開態(tài)的轉(zhuǎn)換過程，會影響電路的靜態(tài)電流和轉(zhuǎn)換功耗，在電路應(yīng)用中十分重要。

MOSFET的亞閾值特性

當(dāng)MOSFET應(yīng)用于數(shù)字邏輯電路和存儲電路時,器件的亞閾值行為就顯得特別重要。這是由于亞閾值區(qū)描述了器件如何導(dǎo)通和截止,亞閾值斜率s是其中的關(guān)鍵參數(shù)。

亞閾值斜率或亞閾擺幅（S，室溫下理想值為60mV/dec），它代表MOSFET在亞閾區(qū)工作時，輸出飽和電流減小10倍時所需要改變的柵-源電壓的大小，也即ID-VG曲線斜率的倒數(shù)。

S值越小，器件的開關(guān)速度就越快。即S值的大小反映了MOSFET在亞閾區(qū)的開關(guān)性能。若想減小S值、提高MOSFET的亞閾區(qū)工作速度，可采取減小MOS柵極結(jié)構(gòu)中界面態(tài)、降低襯底的摻雜濃度、加上一定的襯偏電壓（以減小耗盡層電容）以及限制器件溫升等措施。

MOS理想的電流-電壓特性中，當(dāng)Vgs＜閾值電壓Vt時，漏極電流Id為0。

但實際中，當(dāng)Vgs＜Vt時，MOS溝道表面處于弱反型，溝道中存在濃度較低的反型載流子，形成較小的電流，這就是亞閾值電流。

通常用亞閾值擺幅S（亞閾值斜率的倒數(shù)）來表征，物理意義是Id降低一個數(shù)量級所需改變的柵壓。

公式如下：

亞閾值斜率,公式