6n70場(chǎng)效應管參數,KIA6N70H大功率開(kāi)關(guān)mos管-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2024-04-08
KIA6N70H功率MOSFET采用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)，經(jīng)過(guò)特殊定制，最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能，能夠承受高能脈沖的雪崩和換向模式。特別適用于高效開(kāi)關(guān)模式電源以及基于半橋拓撲的有源功率因數校正。
KIA6N70H場(chǎng)效應管漏源擊穿電壓700V、漏極電流5.8A，RDS(on)typ為1.8Ω@VGS=10V，具有低柵電荷（典型16NC）、高耐用性、快速切換和雪崩測試100%、具備提高dv/dt能力的特點(diǎn)，多種封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220F，方便應用。這些優(yōu)秀的特性使得KIA6N70H成為一款高性能的器件，能夠在各種應用場(chǎng)景中發(fā)揮重要作用，為電力系統的可靠性和效率提供有力的支持。
漏源電壓：700V
漏極電流：5.8A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：1.8Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：20A
雪崩能量單脈沖：150MJ
最大功耗：95/48W
輸入電容：650PF
輸出電容：95PF
總柵極電荷：16nC
開(kāi)通延遲時(shí)間：30nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：80nS
上升時(shí)間：40ns
下降時(shí)間：40ns
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