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雪崩,雪崩二極管內置,器件,靜電毀壞原因等-漲知識必讀

信息來(lái)源：本站　日期：2017-09-29　

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雪崩二極管

第一種：雪崩毀壞

假如在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且到達擊穿電壓V(BR)DSS （依據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)作毀壞的現象。在介質(zhì)負載的開(kāi)關(guān)運轉斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區而招致毀壞的形式會(huì )惹起雪崩毀壞。典型電路：
雪崩二極管
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第二種：器件發(fā)熱損壞

由超出安全區域惹起發(fā)熱而招致的。發(fā)熱的緣由分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。直流功率緣由：外加直流功率而招致的損耗惹起的發(fā)熱
●導通電阻RDS(on)損耗（高溫時(shí)RDS(on)增大，招致一定電流下，功耗增加）
●由漏電流IDSS惹起的損耗（和其他損耗相比極?。┧矐B(tài)功率緣由：外加單觸發(fā)脈沖
●負載短路
●開(kāi)關(guān)損耗（接通、斷開(kāi)） *（與溫度和工作頻率是相關(guān)的）
●內置二極管的trr損耗（上下橋臂短路損耗）（與溫度和工作頻率是相關(guān)的）器件正常運轉時(shí)不發(fā)作的負載短路等惹起的過(guò)電流，形成瞬時(shí)部分發(fā)熱而招致毀壞。
另外，由于熱量不相配或開(kāi)關(guān)頻率太高使芯片不能正常散熱時(shí)，持續的發(fā)熱使溫度超出溝道溫度招致熱擊穿的毀壞。
雪崩二極管
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第三種：內置二極管毀壞

在DS端間構成的寄生二極管運轉時(shí)，由于在Flyback時(shí)功率MOSFET的寄生雙極晶體管運轉，招致此二極管毀壞的形式。


雪崩二極管
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第四種：由寄生振蕩導致的毀壞

此毀壞方式在并聯(lián)時(shí)特別容易發(fā)作在并聯(lián)功率MOSFET時(shí)未插入柵極電阻而直接銜接時(shí)發(fā)作的柵極寄生振蕩。高速重復接通、斷開(kāi)漏極-源極電壓時(shí)，在由柵極-漏極電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg構成的諧振電路上發(fā)作此寄生振蕩。當諧振條件(ωL=1/ωC)成立時(shí)，在柵極-源極間外加遠遠大于驅動(dòng)電壓Vgs(in)的振動(dòng)電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓招致柵極毀壞，或者接通、斷開(kāi)漏極-源極間電壓時(shí)的振動(dòng)電壓經(jīng)過(guò)柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形堆疊招致正向反應，因而可能會(huì )由于誤動(dòng)作惹起振蕩毀壞。
雪崩二極管
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第五種：柵極電涌、靜電毀壞

主要有因在柵極和源極之間假如存在電壓浪涌和靜電而惹起的毀壞，即柵極過(guò)電壓毀壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端（包括裝置和和測定設備的帶電）而招致的柵極毀壞。
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