電動(dòng)工具、鋰電保護板推薦MOS管 KCX2704A：40V 150A-KIA MOS管

KIA MOS管-KCX2704A：40V 150A KCX2704A是由國內專(zhuān)注研發(fā)的優(yōu)質(zhì)MOS管廠(chǎng)家生產(chǎn)。KCX2704A是一款SGT工藝產(chǎn)品，是使用LVMOS技術(shù)生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。改進(jìn)的工藝和單元結構特別定制，以最小化導通電阻，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能。該設備廣泛用于UPS和逆變器系統的電源管理等。

隨著(zhù)手機快充、電動(dòng)汽車(chē)、無(wú)刷電機和鋰電池的興起，中壓MOSFET的需求越來(lái)越大，中壓功率器件開(kāi)始蓬勃發(fā)展，因其巨大的市場(chǎng)份額，國內外諸多廠(chǎng)商在相應的新技術(shù)研發(fā)上不斷加大投入。SGT MOSFET作為中MOSFET的代表，被作為開(kāi)關(guān)器件廣泛應用于電機驅動(dòng)系統、逆變器系統及電源管理系統，是核心功率控制部件。

SGT MOSFET結構具有電荷耦合效應，在傳統溝槽MOSFET器件PN結垂直耗盡的基礎上引入了水平耗盡，將器件電場(chǎng)由三角形分布改變?yōu)榻凭匦畏植?，在采用同樣摻雜濃度的外延材料規格情況下，器件可以獲得更高的擊穿電壓。

較深的溝槽深度，可以利用更多的硅體積來(lái)吸收EAS能量，所以SGT在雪崩時(shí)可以做得更好，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。在開(kāi)關(guān)電源，電機控制，動(dòng)力電池系統等應用領(lǐng)域中，SGT MOSFET配合先進(jìn)封裝，非常有助于提高系統的效能和功率密度。

SGT技術(shù)優(yōu)勢：

提升功率密度

SGT結構相對傳統的Trench結構，溝槽挖掘深度深3-5倍，可以橫向使用更多的外延體積來(lái)阻止電壓，顯著(zhù)降低了MOSFET器件的特征導通電阻（Specific Resistance），例如相同的封裝外形PDFN5*6，采用SGT芯片技術(shù)，可以得到更低的導通電阻。

極低的開(kāi)關(guān)損耗

SGT相對傳統Trench結構，具有低Qg 的特點(diǎn)。屏蔽柵結構的引入，可以降低MOSFET的米勒電容CGD達10倍以上，有助于降低器件在開(kāi)關(guān)電源應用中的開(kāi)關(guān)損耗。另外，CGD/CGS的低比值也是目前同步整流應用中抑制shoot-through的關(guān)鍵指標，采用SGT結構，可以獲得更低的CGD/CGS比值。

更好的EMI優(yōu)勢

SGT MOS結構中的內置電阻電容緩沖結構，可以抑制DS電壓關(guān)斷時(shí)的瞬態(tài)振蕩，開(kāi)關(guān)電源應用中，SGT結構中寄生的CD-shield和Rshield可以吸收器件關(guān)斷時(shí)dv/dt變化帶來(lái)的尖峰和震蕩，進(jìn)一步降低應用風(fēng)險。

40V 150A KCX2704A特點(diǎn)：

VGS=10V時(shí)，RDS（ON）=1.25mΩ（典型值）

低柵極電荷

低Crss

快速切換

額定極限dv/dt

100%雪崩測試

無(wú)鉛電鍍

符合RoHS

KCX2704A漏源擊穿電壓40V，漏極電流最大為150A；開(kāi)啟延遲典型值為22nS，關(guān)斷延遲時(shí)間典型值為87nS，上升時(shí)間64nS，下降時(shí)間28nS，反向傳輸電容43pF，反向恢復時(shí)間67nS，正向電壓的典型值1.4V。

圖：KCX2704A引腳配置

圖：KCX2704A規格書(shū)

【KCX2704A應用】

40V 150A MOS管KCX2704A推薦用于鋰電池保護板、無(wú)人機電調、同步整流、電動(dòng)工具等。

KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷(xiāo)售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠服務(wù)全球開(kāi)關(guān)電源、綠色照明、電機驅動(dòng)、汽車(chē)電子、新能源充電樁、太陽(yáng)能設備、數碼家電、安防工程等行業(yè)長(cháng)期合作伙伴，主動(dòng)了解客戶(hù)需求，不斷研發(fā)創(chuàng )新，為客戶(hù)提供綠色、節能、高效的功率半導體產(chǎn)品。

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