?KIA超高壓MOSFET 1000-1500V，填補國內空白-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2022-08-19
放眼半導體市場(chǎng)，現階段1000-1500V超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷，且存在價(jià)格高，交付周期長(cháng)等弊端。對此可易亞半導體（KIA）針對1000V超高壓MOS產(chǎn)品進(jìn)行了大量的技術(shù)革新，通過(guò)多年的產(chǎn)品技術(shù)積累，開(kāi)發(fā)出耐壓更高，導通內阻更低的超高壓MOS管，填補了國內空白，打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面，也降低了客戶(hù)對國外產(chǎn)品的依存度。
超高耐壓的器件主要應用場(chǎng)景為工業(yè)三相智能電表、LED照明驅動(dòng)電源、充電樁，光伏逆變器等輔助電源。
國內專(zhuān)注研發(fā)優(yōu)質(zhì)MOS管廠(chǎng)家KIA半導體生產(chǎn)的超高壓MOSFET--KNX41100A可代換型號：東芝2SK1119， 艾賽斯IXFP4N100。
超高壓MOSFET-KNX41100A漏源擊穿電壓高達1000V，漏極電流最大值為2A，適用于適配器、充電器、SMPS備用電源等。
KNX41100A的開(kāi)啟延遲典型值為8nS，關(guān)斷延遲時(shí)間典型值為36nS，上升時(shí)間6nS，下降時(shí)間15nS，反向傳輸電容4pF，反向恢復時(shí)間320nS，正向電壓的典型值1.5V。
KNX41100A的導通阻抗典型值為9.6Ω。最大功耗為60W，最大結溫為150℃。此產(chǎn)品的儲存溫度在-55到150℃，適用于大部分環(huán)境。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
符合RoHS標準
RDS(ON),typ.=9.6Ω@VGS=10V
低柵極電荷使開(kāi)關(guān)損耗最小化
快速恢復體二極管
圖：KNX41100A引腳配置
圖：KNX41100A規格書(shū)
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷(xiāo)售的高新技術(shù)型企業(yè)，竭誠服務(wù)全球開(kāi)關(guān)電源、綠色照明、電機驅動(dòng)、汽車(chē)電子、新能源充電樁、太陽(yáng)能設備、數碼家電、安防工程等行業(yè)長(cháng)期合作伙伴；主動(dòng)了解客戶(hù)需求，不斷研發(fā)創(chuàng )新，為客戶(hù)提供綠色、節能、高效的功率半導體產(chǎn)品。
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