5N60場(chǎng)效應管參數代換 5N60引腳圖 5N60E參數4.5A600V-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2022-08-05
這些N溝道增強模式的功率場(chǎng)效應晶體管是用KIA半導體制造的專(zhuān)有、平面、DMOS技術(shù)。這項先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)了特別的調整,以使其最小化通態(tài)電阻,提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能,并承受高能量脈沖在雪崩和換向模式。這些器件非常適合于高效率的開(kāi)關(guān)模式電源供應和電子燈鎮流器的基礎上的半橋。
4.5A,600V,RDS(ON)= 2Ω@ VGS = 10v
低反饋電容(典型值8.0pf)
低柵極電荷(典型值高= 16nc)
快速切換
100%雪崩測試
改進(jìn)的dt/dt能力
符合RoHS
產(chǎn)品編號:KIA 5N60
系列名稱(chēng):MOSFET
溝道:N溝道
耗散功率(pd):100
漏源反向電壓(Vds):600
柵源反向電壓(Vgs):30
漏極電流(連續)(id):5
最高結溫(Tj),℃:150
上升時(shí)間(tr):42
輸出電容(Cd),PF:55
通態(tài)電阻(Rds),ohm:1.8
封裝形式:TO-220、TO-220F等
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