場(chǎng)效應管在電路中低壓、寬電壓、雙電壓應用-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2022-07-26
當使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統的圖騰柱結構，由于三極管的be有0.7V左右的壓降，導致實(shí)際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時(shí)候，我們選用標稱(chēng)gate電壓4.5V的場(chǎng)效應管就存在一定的風(fēng)險。
同樣的問(wèn)題也發(fā)生在使用3V或者其他低壓電源的場(chǎng)合。
輸入電壓并不是一個(gè)固定值，它會(huì )隨著(zhù)時(shí)間或者其他因素而變動(dòng)。這個(gè)變動(dòng)導致PWM電路提供給場(chǎng)效應管的驅動(dòng)電壓是不穩定的。
為了讓場(chǎng)效應管在高gate電壓下安全，很多場(chǎng)效應管內置了穩壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當提供的驅動(dòng)電壓超過(guò)穩壓管的電壓，就會(huì )引起較大的靜態(tài)功耗。
同時(shí)，如果簡(jiǎn)單的用電阻分壓的原理降低gate電壓，就會(huì )出現輸入電壓比較高的時(shí)候，場(chǎng)效應管工作良好，而輸入電壓降低的時(shí)候gate電壓不足，引起導通不夠徹底，從而增加功耗。
在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。
這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側能夠有效的控制高壓側的場(chǎng)效應管，同時(shí)高壓側的場(chǎng)效應管也同樣會(huì )面對1和2中提到的問(wèn)題。
在這三種情況下，圖騰柱結構無(wú)法滿(mǎn)足輸出要求，而很多現成的場(chǎng)效應管驅動(dòng)IC，似乎也沒(méi)有包含gate電壓限制的結構。
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