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MOS管的壓降問(wèn)題實(shí)例分析-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2022-07-25 

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MOS管的壓降問(wèn)題實(shí)例分析-KIA MOS管


測試開(kāi)關(guān)mos后電壓下降了1V多,鋰電池4.2V的電壓算是很低的一個(gè)電壓,并且是拿這個(gè)mos導通之后的電壓作為電壓比較器的輸入電壓,當然參考電壓是升壓再穩壓之后,可以不考慮它的變化,按理來(lái)說(shuō),mos都是m歐級的內阻,壓降應該不大才對,為什么會(huì )有這么大壓降呢?


電路如下圖所示:

MOS管 壓降


查看手冊可知在Vgs=2.5V時(shí),導通時(shí),最大電流Id=2.8A,mos的阻值為110m歐。如下圖所示:2,8A*0.11=0.3V左右的壓降。


實(shí)際的應用時(shí),D極是直接拉到了地,所以0V,接近4.5V,壓降為2.8*0.090=0.25V,此時(shí)的Id也達到了最大值2.8A.


MOS管 壓降


1點(diǎn)幾伏的壓降,顯然是不對的??春竺嬗袀€(gè)振蕩電路,應該是消耗了大量的電流,才造成電壓下降的這么厲害。


總結一下:

在柵極施加不同的電壓,源-漏極之間就會(huì )有電阻的變化。同時(shí),如果要使MOS管作在開(kāi)關(guān)狀態(tài),就要對柵極施加足夠的電壓,它才能充分起到開(kāi)關(guān)作用。


擴展:mos的其他特性:

場(chǎng)效應管分為增強型(常開(kāi)型)和耗盡型(常閉型),增強型的管子是需要加電壓才能導通的,而耗盡型管子本來(lái)就處于導通狀態(tài),加柵源電壓是為了使其截止。



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