MOS高壓側自舉升壓電路分享-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2022-07-25
MOS高壓側自舉升壓電路
如果不添加自舉電路,
舉例如下:
如果MOS的Drink極電壓為12V,Source極電壓原為0V,Gate極驅動(dòng)電壓也為12V,那么當MOS在導通瞬間,Soure極電壓會(huì )升高為Drink減壓減去一個(gè)很小的導通壓降,那么Vgs電壓會(huì )接近于0V,MOS在導通瞬間后又會(huì )關(guān)斷,再導通,再關(guān)斷。
如此下去,長(cháng)時(shí)間在MOS的Drink極與Source間通過(guò)的是一個(gè)N倍于工作頻率的高頻脈沖,這樣的脈沖尖峰在MOS上會(huì )產(chǎn)生過(guò)大的電壓應力,很快MOS管會(huì )被損壞。
如果在MOS的Gate與Source間接入一個(gè)小電容,在MOS未導通時(shí)給電容充電,在MOS導通,Source電壓升高后,自動(dòng)將Gate極電壓升高,便可使MOS保持繼續導通。
圖中自舉升壓電路解析(電荷泵工作原理):
1、上電時(shí):電源+11V流過(guò)D1、D2向C3充電,C3上的電壓很快升至接近11V;
2、如果Q6導通,C1負極被拉低,C1形成充電回路,會(huì )很快C1充電至11V;
3、當PWM波形翻轉,Q6截止,Q3導通,C1負極電位被抬高到接近電源電壓11V,水漲船高,此時(shí)C1正極電位已超過(guò)電源電壓,并高于C3端電壓。因為D1的存在,該電壓不會(huì )向電源倒流;
4、此時(shí)開(kāi)始先C3充電,C3上的端電壓被充至接近2倍電源電壓22V;
5、只要Q3、Q6一直輪流導通和截止,C1就會(huì )不斷向C3充電,使C3端電壓一直保持22V的電壓。
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