DCDC的高端NMOS的自舉小竅門(mén)分享-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2022-07-19
NMOS管的主回路電流方向為D極到S極，導通條件為VGS有一定的壓差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路電流方向為S極到G極，導通條件為VSG有一定的壓差，即VS-VG>VTH。
故一般把NMOS作為下管，S極接地，只要給G極一定電壓即可控制其導通關(guān)斷；把PMOS作為上管，S極接VIN，G極給個(gè)低電壓即可導通。當然NMOS管也可作為上管，但需要增加自舉驅動(dòng)電路。
對于一些拓撲，比如Buck、Boost、Buck-Boost這些用NMOS作為上管的拓撲，就沒(méi)辦法直接用剛才說(shuō)的只給G極一個(gè)電平來(lái)驅動(dòng)。
假如此時(shí)D極接VIN，S極的電壓不定，NMOS管截止時(shí)為低電平，導通時(shí)接近高電平VIN，需要板子上給G極一個(gè)更高的電壓，但此時(shí)板子已無(wú)比VIN更高的電平了，那么就可以采用自舉驅動(dòng)電路。
如圖為用于驅動(dòng)上MOS管的電容自舉驅動(dòng)電路。該自舉電容通過(guò)二極管接到VCC端，下接上MOS管的S極。當驅動(dòng)電路驅動(dòng)下MOS管導通時(shí)，VCC通過(guò)二極管、RBOOT、下MOS管，對CBOOT充電。
充電時(shí)間為下MOS管的導通時(shí)間，我們定為T(mén)off（上MOS管）；當下管關(guān)斷后，驅動(dòng)電路導通上MOS管，CBOOT的下端電壓變?yōu)閂IN，由于電容兩端電壓不能突變，所以CBOOT上的電壓自然就被舉了起來(lái)。
這樣驅動(dòng)電壓才能高過(guò)輸入電壓，就能保持上管持續導通，此時(shí)VBOOT的電壓通過(guò)RBOOT和內部電路放電，放電時(shí)間為T(mén)on（上MOS管）。
自舉電容充電過(guò)程如圖：
下MOS管導通時(shí)開(kāi)始充電，充電電壓對時(shí)間的關(guān)系如公式一所示：
Vcboot_max = V0 + VCC x [1–exp (-Toff/RC)]；
充電電流對時(shí)間的關(guān)系如公式二所示：
I = CdU/dT = C x △Vcboot/Toff。
接下來(lái)看一下其放電過(guò)程：上MOS管導通時(shí)開(kāi)始放電，放電電壓對時(shí)間的關(guān)系如公式三所示：
Vcboot_min = exp [ -Ton/ (Rtotal x C) ] x Vcboot_max
放電電流對時(shí)間的關(guān)系如公式四所示：
I = CdU/dT = C x △Vcboot/Ton
至此我們已經(jīng)掌握自舉驅動(dòng)電路的“竅門(mén)”。
電容的選型主要基于其耐壓值和容量大小。耐壓值要大于等于VCC減去二極管和下MOS管的導通電壓。驅動(dòng)電路上有其他功耗器件由該電容供電，所以要求電容上的電壓下跌最好不要超過(guò)原先值的10%，這樣才能保證驅動(dòng)電壓。
由以上限制和公式三可推出需要Ton <= （Rtotal x C）x ln0.9。由該式可知Ton的最大值與自舉電容和自舉電阻的大小有關(guān)。如果容值太小，其兩端的電壓降會(huì )過(guò)大，會(huì )出現占空比無(wú)法展開(kāi)的情況。
但是容值也不能太大，太大的電容會(huì )導致最小Toff變大，電容充不滿(mǎn)電也會(huì )導致占空比無(wú)法展開(kāi)，并且會(huì )導致二極管在充電的時(shí)候沖擊電流過(guò)大。
自舉電阻的電壓等于充電電流乘以其阻值，所以其耐壓值要大于最大充電電流乘以其阻值；同樣自舉電阻的阻值會(huì )影響自舉電容充電時(shí)間，也會(huì )影響占空比, R越大，所需充電時(shí)間越長(cháng)。
同時(shí)自舉電阻阻值的增加會(huì )降低上MOS管的驅動(dòng)電壓，增加Cgs的充電時(shí)間，從而降低上MOS管導通時(shí)的電壓電流的變化率和SW波尖峰。
圖注：自舉電阻為0Ω時(shí)，SW的測試波形
將電阻增大到45Ω時(shí)，可以明顯看出自舉電阻越大，SW波上升斜率越小，同時(shí)SW的尖峰越小，驗證了前面的結論。
圖注：電阻增大到45Ω時(shí)，SW的測試波形
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