MOS管參數測試方法詳細圖文-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2022-07-12
溝槽式場(chǎng)效應管TrenchMOSFET是現在比較常用的金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管。因其具有低導通電阻、低柵漏電荷密度的特點(diǎn)，所以功率損耗低、開(kāi)關(guān)速度快。且由于TrenchMOSFET為垂直結構器件，因此可進(jìn)一步提高其溝道密度，減少芯片尺寸，使功率場(chǎng)效應管的SMD微型封裝成為現實(shí)。
在手機電池保護電路中，常用到兩個(gè)場(chǎng)效應管共漏極使用的MOSFET，因為在手機保護電路中，即要進(jìn)行過(guò)充檢測也要進(jìn)行過(guò)放檢測。
該類(lèi)MOSFET內部電路結構如下圖虛線(xiàn)內所示：
打開(kāi)該類(lèi)MOS的規格書(shū)我們會(huì )看到許多如下參數：
那么如何測試這些參數呢，下面請看測試手法！
注意：
下文中加粗字體為變量，需根據MOS規格書(shū)來(lái)確定實(shí)際參數。
1、VSSS耐壓
按下圖連接測試電路，設置VGS=0V，VSS1從0V以0.1V步增，逐漸增加電壓至IS=1mA,且MOS無(wú)損毀，記錄VSS1的電壓。
按下圖連接測試電路，設置VGS=0V，VSS2從0V以0.1V步增，瞬間增加電壓至IS=1mA,且MOS無(wú)損毀，記錄VSS2的電壓。
2、ISSS電流
按下圖連接測試電路，設置VSS=12V，VGS=0V，記錄下ISSS。
3、VGS(th)開(kāi)啟電壓
按下圖連接測試電路，設置VSS=6V，以0.1V同步增加VGS1的電壓，直至ISS=1mA,記錄下此時(shí)VGS1的電壓，同理測試另一FET的VGS2。
4、IGSS柵極漏電流
按下圖連接測試電路，設置VSS=0V，VGS1=±8V，記錄下IGSS1，同理測試另一FET的IGSS2。
5、RSS(on)內阻
按下圖連接測試電路，設置IS=6A，分別測試VGS等于4.5V、4.0V、3.8V、3.1V、2.5V時(shí)，S1與S2兩端的電壓VS1S2，RSS（on）=VS1S2/6A。
6、VFSS二極管導通電壓
按下圖連接測試電路，設置VGS2=4.5V，VGS1=0V，VS1S2=4.5V，IS1S2=6A，記錄下測試的VFSS1。
同理，設置VGS1=4.5V，VGS2=0V，VS2S1=4.5V，IS2S1=6A，記錄下測試的VFSS2。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來(lái)源其它出處，如有侵權，請聯(lián)系刪除。
