NMOS開(kāi)關(guān)電路測試圖文分享-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2022-07-07
以NMOS為例，測試NMOS作為開(kāi)關(guān)的電路設計。試驗用的NOMS為RU75N08，其輸出特性曲線(xiàn)為：
從輸出特性曲線(xiàn)可以看出，只要Vgs大于截止電壓4.5V，DS就可以導通了。測試時(shí)直接使Vgs=+12V，Vds=+48V，負載電流最大可達到50A。
為了方便單片機控制Vgs，可加一個(gè)三極管進(jìn)行電壓控制，加一個(gè)光耦進(jìn)行電氣隔離，通過(guò)單片機IO口電平高低來(lái)控制NOMS的通斷。
測試電路如下：
IN接單片機IO口，IN為高電平時(shí)，發(fā)光二極體通過(guò)電流而發(fā)光，光敏元件受到光照后產(chǎn)生電流，光耦的NPN導通，PNP三極管Vb拉低，PNP導通，Vgs > 4.5V，NMOS導通，負載工作；
IN為低電壓時(shí)，光耦不工作，PNP三極管Ve=Vb，PNP截止，Vgs = 0V，NMOS截止，負載不工作。
可以通過(guò)控制IN實(shí)現NMOS開(kāi)關(guān)作用。
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