功率MOSFETt模塊,功率模塊最全面解決方案
信息來(lái)源：本站 日期：2017-08-03
MOSFET模塊的優(yōu)勢
模塊(Module)是將多個(gè)管芯組裝到同一個(gè)密封外殼內的電路組件，目的是為了取得更大的電流規格或者電壓規格，根本的辦法是并聯(lián)（取得大電流）和串聯(lián)（取得高耐壓），由于串聯(lián)需求特殊的隔離驅動(dòng)電路，因而常見(jiàn)的模塊是大電流規格的并聯(lián)類(lèi)型。
假如具備相當的技術(shù)檢測條件，模塊與多個(gè)分立元件的晶體管并聯(lián)電路并無(wú)本質(zhì)上的不同，而且后者可以到達更高的性能，但是消費本錢(qián)普通會(huì )更高，因為這需求更多的檢測和調試本錢(qián)。
公開(kāi)的材料大都認可功率場(chǎng)效應管由于沒(méi)有“二次擊穿。的現象，同時(shí)導通電阻又是負溫度特性（隨著(zhù)溫度的升高，導通電阻增加），因而與BJT和IGBT相比而言，更容易并聯(lián)。雖然如此，同型號的功率場(chǎng)效應管的并聯(lián)也不是隨意幾個(gè)就能夠的。 為了長(cháng)期牢靠地工作，同型號、同批次、同規格（經(jīng)過(guò)檢驗停止刪選，誤差盡可能小而不是沒(méi)有）依然是多個(gè)功率場(chǎng)效應管并聯(lián)運用的根本請求，從這個(gè)意義止說(shuō)，模塊更有優(yōu)勢。
模塊的另一個(gè)優(yōu)勢是規范化的組裝下藝和環(huán)境，在凈化車(chē)間依照并聯(lián)的技術(shù)標準停止的專(zhuān)業(yè)化組裝，普通電子產(chǎn)品組裝車(chē)間的技術(shù)條件很難與之匹敵。
其次，模塊的中心技術(shù)是單管而不是模塊，模塊其實(shí)更像組裝技術(shù)—管，芯的組合與組裝。換言之，單管才是制造商的中心技術(shù)。
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