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40V80A場(chǎng)效應管MOS管 KNX3404C 252封裝 原廠(chǎng)直銷(xiāo)-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2022-06-17 

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40V80A場(chǎng)效應管MOS管 KNX3404C 252封裝 原廠(chǎng)直銷(xiāo)-KIA MOS管


40V80A場(chǎng)效應管MOS管 KNX3404C原廠(chǎng)簡(jiǎn)介

KIA公司簡(jiǎn)介:廣東可易亞半導體科技有限公司是一家專(zhuān)業(yè)從事中、大、功率場(chǎng)效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開(kāi)發(fā)設計,集研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。

40V80A場(chǎng)效應管MOS管 KNX3404C

KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發(fā)與銷(xiāo)售的高新技術(shù)型企業(yè),竭誠服務(wù)全球開(kāi)關(guān)電源、綠色照明、電機驅動(dòng)、汽車(chē)電子、新能源充電樁、太陽(yáng)能設備、數碼家電、安防工程等行業(yè)長(cháng)期合作伙伴,主動(dòng)了解客戶(hù)需求,不斷研發(fā)創(chuàng )新,為客戶(hù)提供綠色、節能、高效的功率半導體產(chǎn)品。


40V80A場(chǎng)效應管MOS管 KNX3404C描述

KNX3404C是一種高密度溝槽N-ch MOSFET,為大多數同步BUCK變換器的應用提供了優(yōu)良的Rdson和柵電荷。KND3404C滿(mǎn)足RoHS和綠色產(chǎn)品要求, 100%的EAS保證了全部功能的可靠性。


40V80A場(chǎng)效應管MOS管 KNX3404C特性

RDS(ON),typ.=5.0mΩ@VGS=10V

超低柵電荷

100%EAS保證

綠色設備

Cdv/dt效應下降良好

先進(jìn)的高密度溝槽技術(shù)


40V80A場(chǎng)效應管MOS管 KNX3404C參數

(注;具體參數,請查看下面規格書(shū)。)

型號:KNX3404C

漏源電壓:40V

柵源電壓:±20V

持續漏電流Tc=25℃:80A

持續漏電流Tc=100℃:58A

脈沖漏極電流:150A

單脈沖雪崩能量:110mJ

雪崩電流:47A

總功耗:52.1W

漏源擊穿

電壓:40V

正向跨導:25S

柵極電阻:1.5Ω

輸入電容:3330PF

輸出電容:270PF

反向轉移電容:200PF


40V80A場(chǎng)效應管MOS管 KNX3404C封裝圖


40V80A場(chǎng)效應管MOS管 KNX3404C


40V80A場(chǎng)效應管MOS管 KNX3404C規格書(shū)

在線(xiàn)查看及下載規格書(shū),請點(diǎn)擊下圖。


40V80A場(chǎng)效應管MOS管 KNX3404C




聯(lián)系方式:鄒先生

聯(lián)系電話(huà):0755-83888366-8022

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