【集成電路設計】MOS管的fT頻率分析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2022-06-08
MOSFET的電流增益特征頻率fT，用于表征MOSFET的電流放大的最高工作頻率。
在MOS源極和漏極接交流地時(shí)，器件的小信號電流增益降至1的頻率稱(chēng)為：“transit frequency”(fT)
MOS的小信號模型如下：
影響因素：
1) 增大Vgs可以增大FT
2) 減小溝道L會(huì )增大FT，所以使用工藝尺寸更小的MOS管，可以獲得更高的工作頻率。
3) 增大偏置電流可以增大FT(FT:∝電流的平方根)
4) FT隨著(zhù)過(guò)驅動(dòng)電壓而增加，但隨著(zhù)垂直電場(chǎng)增強到一定程度，會(huì )導致遷移率明顯逐漸減小，而使FT-Vod曲線(xiàn)變平,不再是線(xiàn)性直線(xiàn)。
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