【圖文分享】MOS管參數μCox計算方法-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2022-06-08
MOS管溝道飽和區電流ID（不考慮非理想效應)
首先在原理圖中放上器件，以NMOS為例子，同時(shí)分別設置好NMOS溝道長(cháng)度和寬度，還有將對應器件電壓也設置成變量，設成變量方面后面仿真條件下修改參數。
需要關(guān)注的參數是beff和betaeff，其中beff就是平方率關(guān)系對應的理想參數（完全不考慮溝道調制效應等，是可以計算過(guò)后發(fā)現，用得到的閾值電壓還有Id算出來(lái)完全符合平方率關(guān)系對應的理想值），betaeff是修正的跨導模型參數，畢竟現在模型不是以前的那種簡(jiǎn)單模型了。
MOS管溝道飽和區電流ID
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