雙脈沖測(cè)試電路原理及波形示意圖-KIA MOS管

功率器件的很多動(dòng)態(tài)參數(shù)可以從器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)中獲取，但是器件手冊(cè)只給出特定測(cè)試條件下的動(dòng)態(tài)參數(shù)。當(dāng)功率回路電壓和電流、驅(qū)動(dòng)回路的電壓、電阻和外部電容等參數(shù)變化時(shí)，器件的開(kāi)關(guān)時(shí)間也將產(chǎn)生變化，因此在設(shè)計(jì)時(shí)有必要對(duì)器件的特定工況進(jìn)行雙脈沖測(cè)試，獲取更加真實(shí)的性能。

雙脈沖測(cè)試有以下作用：

(1) 對(duì)比不同產(chǎn)品的參數(shù)；

(2) 評(píng)估驅(qū)動(dòng)電路的功能和性能；

(3) 獲取 SiC MOSFET 在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中的主要參數(shù)，以評(píng)估柵極電阻取值是否合適；

(4) 開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程是否有不合適的振蕩；

(5) 評(píng)估二極管的反向恢復(fù)特性和安全裕量；

(6) 測(cè)試 SiC MOSFET 的電壓尖峰；

(7) 評(píng)估 SiC MOSFET 并聯(lián)均流特性；

(8) 測(cè)量母排的雜散電感。

其中 RG,int為內(nèi)部柵極電阻，RG,ext為外部柵極電阻，CGS柵極-源極電容，CGD為柵極-漏極電容，CDS為漏極-源極電容，LG、LD和 LS分別為柵極、漏極和源極的引線電感，CD1為續(xù)流二極管結(jié)電容，Lloop為功率主回路寄生電感，L 為負(fù)載電感。

在第一個(gè)脈沖信號(hào)來(lái)臨之前，電感電流為 0，SiC MOSFET 阻斷并承受直流母線電壓。直到 t1時(shí)刻，器件開(kāi)始導(dǎo)通，電感電流按照式規(guī)律變化，即隨時(shí)間按線性規(guī)律增加。

式中 VDS(on)---SiC MOSFET 導(dǎo)通壓降；

t2 時(shí)刻，開(kāi)關(guān)管開(kāi)始關(guān)斷并換流至二極管 D1，流經(jīng)開(kāi)關(guān)管的電流變?yōu)?0，負(fù)載電感的電流經(jīng)過(guò)二極管 D1續(xù)流。

由于續(xù)流階段電流回路存在一定的電阻，電流將會(huì)有一定程度的減小，但此階段極短，而且寄生電阻量很小，因此電流減小量可以忽略，近似認(rèn)為 t2和 t3時(shí)刻電流相等。

t3 時(shí)刻，第二個(gè)脈沖信號(hào)使開(kāi)關(guān)管開(kāi)通，續(xù)流二極管開(kāi)始關(guān)斷，電感電流換流至開(kāi)關(guān)管并繼續(xù)按照線性規(guī)律增加。

t4 時(shí)刻，開(kāi)關(guān)管再次關(guān)斷，電流從開(kāi)關(guān)管換流至續(xù)流二極管 D1，雙脈沖測(cè)試結(jié)束。

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