【圖文】MOS管飽和區(qū)、三極管飽和區(qū)的區(qū)別-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-05-16
mos：iDs不隨Vds增加而增加；
bjt:iC不隨iB的增加而增加；
典型VT=1V;
三極管的飽和區(qū)：Ic不隨Ib的增大而增大，所以稱為飽和區(qū)。
MOS管的飽和區(qū)：Ids不隨Vds的增大而增大，所以稱為飽和區(qū)。
其實，三極管在線性區(qū)時,Ib=B Ic, 在VCE與Ib的曲線圖中,一般希望靜態(tài)工作點Q落在中間也就是落在線性區(qū)間.在飽和區(qū),基極的電流不會在集電極端放大.在應用時我們使用Ib進行放大。
而MOS管則不同,首先MOS管的柵極電流接近0,不會被放大.主要是溝道電流Ids由柵極電壓和溝道電壓(參考ids同vgs,vds的關系式).在飽和區(qū),忽略溝道長度調整,其Ids在飽和區(qū)就接近恒定了,實際上不是這樣的,Ids由vgs來放大,希望vds對放大的影響小,因而只有在飽和區(qū)內(nèi)放大信號是有意義的。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯(lián)系刪除。
