MOSFET-功率器件中熱阻值的測量分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-04-08
熱阻值是功率器件中主要的參數(shù)之一，反映了功率器件的驅(qū)動能力。熱阻值的大小與功率器件本身和所在 PCB 板散熱面積有關(guān)。因此，本文描述了功率器件的熱阻值的測量方法。
實驗平臺
1、某功率器件
2、電源、示波器、電子負(fù)載等
實驗原理
熱阻值的單位為℃/W，因此，只需要測量功率器件單位功率下的溫升即可實現(xiàn)熱阻值的測定。而功率的測量，可以通過對功率器件施加特定的負(fù)載，并通過 P=UI 即可完成；
溫升的測定則需要根據(jù)功率器件（功率 MOS 管）的體二極管來實現(xiàn)，根據(jù)經(jīng)驗公式，功率器件的溫升與體二極管的電壓滿足：℃=2mV，即體二極管“單位情況”下升高 2mV，功率器件溫升 1℃，因此，需要測量體二極管“單位情況”下的電壓。
實驗步驟
1、如圖所示連接電路
2、設(shè)定電子負(fù)載為 0.02A，打開電源，測得如下波形
根據(jù)上圖，Drain 和 Source 間，也就是體二極管兩端的電壓 V0 = 537.5mV。
3、設(shè)定電子負(fù)載為 2A/0.02A，90%占空比，測得如下波形
根據(jù)上圖，2A 對應(yīng)的體二極管兩端電壓 V1 = 637.5mV,0.02A 對應(yīng)的體二極管兩端電壓 V2 = 475mV。
則△V = |V2-V0| = 62.5mV，對應(yīng)的功率器件溫升為：
T = 31.25℃。
功率器件所驅(qū)動的負(fù)載功率：
P = Vcc*I*90% = 0.6375*2*0.9 = 1.1475W
因此，該功率器件的熱阻值為：
Tj = T/P = 27.2℃/W
根據(jù)上述步驟完成了功率器件熱阻值的測量。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
