MOS管的開關(guān)模型圖文分享-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-03-31
1、柵極長度L是載流子必須經(jīng)源到漏的距離，因此L直接關(guān)系到器件的速度，L越小，器件的速度越快，功耗越低。
2、溝道寬度W決定了器件的強度，器件越寬，并行穿過器件的載流子越多。W值越大，晶體管的導通電阻越小，電流越大，負載電容放電越快，從而器件速度越快。但是隨著W的增加，器件柵極電容也會增加，從而會延長器件柵極的充放電時間。
p溝道MOSFET的工作原理與NFET相同，所有0和1都被切換。
（a） 當柵極為高時，無論源極和漏極電壓如何，PFET都會關(guān)閉。（b） 當柵極低而源極高時，PFET開啟，電流從源極流向漏極。
Cg=W*L*Kc Rs= L*Krn/W
對于PMOS 和 NNOS，Kc相同，Kr 卻因為比率Kp不同而不同，PMOS比NMOS電阻大
Kp = Wp/Wn=Krp/Krn
逆變器驅(qū)動同一逆變器的延遲。
(a)邏輯圖(所有數(shù)字均為器件寬度)，(b)晶體管級電路。(c)計算上升時延的開關(guān)級模型，(d)計算下降時延的開關(guān)級模型。
具有相同上升下降延遲的逆變器對。（a） 邏輯圖（尺寸反映表4.2的參數(shù)）。（b） 下降延遲的開關(guān)級模型（上升延遲相同）。
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