【分享】IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制-KIA MOS管

溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來(lái)監(jiān)控溫度。

半導(dǎo)體硅PTC熱敏電阻可以很好進(jìn)行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測(cè)器可以用較低阻值，達(dá)到更高的檢測(cè)線性度。

無(wú)論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設(shè)計(jì)得當(dāng)，可確保模塊正確降額，并最終在過(guò)熱或外部溫度過(guò)高的情況下關(guān)斷模塊。

本文以鍵合NTC裸片為重點(diǎn)，采用模擬電路仿真的方法說(shuō)明功率模塊降額和關(guān)斷基本原理。

為什么模擬? 模擬是簡(jiǎn)化并以可視方式說(shuō)明不同現(xiàn)象的理想方法，也適用于開(kāi)發(fā)直觀應(yīng)用。最后一個(gè)動(dòng)機(jī)是經(jīng)濟(jì)因素：我們僅用免費(fèi)軟件 (LTspice) 開(kāi)發(fā)仿真，而其他設(shè)計(jì)工具用于更加復(fù)雜的設(shè)計(jì)。

現(xiàn)在，我們來(lái)看圖1所示LTspice設(shè)計(jì)，這是一個(gè)簡(jiǎn)單的升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。不過(guò)，由于LTspice的多功能性，IGBT和二極管模型被熱模型取代，熱通量用輸出腳明確表示，可將其連接到熱電路 (如散熱器)。我們使用簡(jiǎn)單的RC電路 (實(shí)際情況下，設(shè)計(jì)人員需要仔細(xì)將Zth模型定義為Cauer或Foster模型)。

MOSFET IGBT 功率模塊

圖1

轉(zhuǎn)換器工作期間，熱通量形成熱點(diǎn) (本例中，節(jié)點(diǎn)Tsyst產(chǎn)生電壓，需要控制溫度)。這個(gè)溫度輸入NTC模型 (Vishay引線鍵合裸片NTCC200E4203_T)。NTC信號(hào)通過(guò)惠斯通電橋與閾值對(duì)比、放大，與鋸齒形信號(hào) (Vsaw) 進(jìn)行比較。

最終輸出Vsw是加在IGBT柵極的脈沖信號(hào)。Rlim阻值定義溫度閾值以下，我們?cè)贗GBT柵極加100 %滿占空比脈沖。過(guò)熱時(shí)—IGBT和二極管產(chǎn)生熱量—加上環(huán)境溫度 (熱電路節(jié)點(diǎn)Tamb電壓)，占空比減小，降壓轉(zhuǎn)換器輸出/輸入比 (Vout / Vcc) 下降。

于是，熱量減小，溫度開(kāi)始恢復(fù)穩(wěn)定。高于一定溫度極限時(shí)，這個(gè)比值必須減小到1。

為在合理時(shí)間內(nèi)完成仿真，必須降低散熱器熱量。熱量增加可能需要幾分鐘甚至幾小時(shí)，我們希望很短時(shí)間內(nèi)看到效果。

以下是仿真結(jié)果：每個(gè)圖中顯示的結(jié)果含或不含溫度降額 (為取消溫度控制，Rlim取值非常低)。

MOSFET IGBT 功率模塊

圖2

MOSFET IGBT 功率模塊

圖3

MOSFET IGBT 功率模塊

圖4

如圖2所示，升壓轉(zhuǎn)換器在最初20 ms內(nèi)通常出現(xiàn)振蕩，未優(yōu)化的表現(xiàn)。溫度Tsyst (圖4) 開(kāi)始升高，然后環(huán)境溫度升高，當(dāng)Tsyst達(dá)到90 °C時(shí)， Vout / Vcc開(kāi)始降額。環(huán)境溫度每升高一點(diǎn)，占空比下降一點(diǎn)，直到升壓轉(zhuǎn)換器完全失效。110 °C時(shí)，降額達(dá)到最大值。

沒(méi)有溫度保護(hù)，Tsyst可達(dá)到160 °C至170 °C (圖4)。在實(shí)際功率模塊中，裸片峰值溫度可達(dá)到200 °C或更高。

電壓Vsense、Vntc和Vlim如圖3所示。圖5和6顯示不同時(shí)間占空比變化。

當(dāng)然，所有閾值都是可調(diào)的，并且可以相應(yīng)調(diào)整開(kāi)關(guān)閾值。

MOSFET IGBT 功率模塊