?【圖文】反相器的電路結構和工作原理-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-12-24
電路結構
2.電壓傳輸特性
3.工作原理
設 VCC=5V，VIH=3.4V,VIL=0.2V
PN結的導通壓降VON=0.7V
A點(diǎn):輸入為0，T1管be結正偏，bc結正偏，T1處于飽和狀態(tài)，c1壓降很低，T2管的基極與c1接在一起，所以T2管、T5管都截止，T4管導通，Y輸出高電平，VOH=VCC-VR2-VBE4-VD2=3.4V
AB段：VI<0.6V左右, VB1<1.3V左右, VC1<0.7V左右， T1管導通，T2管、T5管都截止，T4管導通，Y輸出高電平，VOH=VCC-VR2-VBE4-VD2=3.4V
BC段：線(xiàn)性區0.7V<VI<1.3V ，T2管導通（從截止進(jìn)入放大區），R2上流過(guò)的電流增加，T5管截止，T4管導通，Y輸出高電平，VOH線(xiàn)性下降
CD段：轉折區，VI=VTH約為1.4V, VC1電壓鉗位在1.4V，所以VB1鉗位在2.1V左右，T2管、T5管都導通，T4管截止，所以VO迅速下降至低電平
DE段：飽和區，VI繼續上升，而VO不變
說(shuō)明：
T2管的輸出VC2和VE2變化方向相反（T2管由截止變?yōu)閷〞r(shí)，VC2下降而VE2上升），故稱(chēng)倒相級；
輸出級在穩態(tài)下，T5管和T4管總有一個(gè)導通一個(gè)截止（例如當輸出低電平時(shí)，T2管、T5管飽和導通，輸出為0.1V到0.2V左右，VB4大約是0.8到0.9V, T4管導通需要1.4V的壓差），既能降低功耗又提高了帶負載能力，稱(chēng)推拉式；
D1抑制負向干擾，當輸入的電平過(guò)低時(shí)（<-0.7V),D1導通，保護電路；D2保證T2導通時(shí)T4可靠的截止。
(二）CMOS反相器
1.電路結構和電壓傳輸特性
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來(lái)源其它出處，如有侵權，請聯(lián)系刪除。
