【實(shí)例分析】晶體管溫度補償電路-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-12-22
晶體管的主要參數，如電流放大倍數、基極-發(fā)射極電壓、集電極電流等，都與環(huán)境溫度密切相關(guān)。因此，在晶體管電路中需要采取必要的溫度補償措施，才能獲得較高的穩定性和較寬的使用環(huán)境溫度范圍。
采用NTC熱敏電阻器的晶體管溫度補償電路，普遍存在高溫（一般在50℃以上）補償不足、輸入阻抗隨溫度升高而下降，功耗較大等缺點(diǎn)。PTC熱敏電阻 晶體管溫度補償電路能克服上述缺點(diǎn)，擴大晶體管使用環(huán)境溫度范圍。
圖 三種接法的基本補償電路
圖(a)(b)(c) 為三種不同接法的晶體管基本補償電路，適用于不同的晶體管及工作電流，以求保證在較寬的溫度范圍內的最佳補償效果。
此外，圖(b)和圖(c)除有穩定工作電流的作用外， 還兼有過(guò)熱過(guò)流保護的功能，即當電流或環(huán)境溫度超過(guò)設定值時(shí)，RT阻值劇增，從而使使晶體管截止。
晶體管放大電路
圖 晶體管放大電路
圖為采用PTC熱敏電阻的晶體管放大電路。 圖中RT為25℃時(shí)阻值180Ω的PTC熱敏電阻，當環(huán)境溫度變化時(shí)，其阻值隨之變化使晶體管發(fā)射極電壓呈反向變化，從而使集電極電流保持穩定。
圖 Ia、Av隨環(huán)境溫度Ta的變化
圖是環(huán)境溫度在-20~+60℃范圍內，集電極電流Ic及電壓放大系數Av的變化情況。
圖中，曲線(xiàn)1、3是采用了PTC熱敏電阻的補償結果，曲線(xiàn)2、4是沒(méi)有采用PTC熱敏電阻補償的結果。
由于引入了PTC熱敏電阻器，集電極電流Ic及電壓放大系數Av抗環(huán)境溫度影響的能力得到顯著(zhù)改進(jìn)。
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