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MOS管被ESD擊穿?解決方案分享-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2021-12-14 

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MOS管被ESD擊穿?解決方案分享-KIA MOS管


MOS管ESD擊穿改善

MOS管具有防靜電、防浪涌保護電路不受侵害的優(yōu)點(diǎn)而深受電子行業(yè)的喜愛(ài),ESD靜電無(wú)處不在,存在于任何的電子產(chǎn)品中,令人防不勝防。


然而MOS管卻又是一個(gè)ESD靜電敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電,又因在靜電較強的場(chǎng)合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。


MOS管 ESD擊穿


MOS管被ESD擊穿的改善方法

一、MOS管本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電,而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓(U=Q/C),將管子損壞。


雖然MOS管輸入端有抗靜電的保護措施,但仍需小心對待,在存儲和運輸中最好用金屬容器或者導電材料包裝,不要放在易產(chǎn)生靜電高壓的化工材料或化纖織物中。


組裝、調試時(shí),工具、儀表、工作臺等均應良好接地。要防止操作人員的靜電干擾造成的損壞,如不宜穿尼龍、化纖衣服,手或工具在接觸集成塊前最好先接一下地。


MOS管 ESD擊穿


對器件引線(xiàn)矯直彎曲或人工焊接時(shí),使用的設備必須良好接地。


二、MOS管電路輸入端的保護二極管,其通時(shí)電流容限一般為1mA,在可能出現過(guò)大瞬態(tài)輸入電流(超過(guò)10mA)時(shí),應串接輸入保護電阻。因此應用時(shí)可選擇一個(gè)內部有保護電阻的MOS管應。


還有由于保護電路吸收的瞬間能量有限,太大的瞬間信號和過(guò)高的靜電電壓將使保護電路失去作用。


所以焊接時(shí)電烙鐵必須可靠接地,以防漏電擊穿器件輸入端,一般使用時(shí),可斷電后利用電烙鐵的余熱進(jìn)行焊接,并先焊其接地管腳。


MOS管是電壓驅動(dòng)元件,對電壓很敏感,懸空的G很容易接受外部干擾使MOS管導通,外部干擾信號對G-S結電容充電,這個(gè)微小的電荷可以?xún)Υ婧荛L(cháng)時(shí)間。


在試驗中G懸空很危險,很多就因為這樣爆管,G接個(gè)下拉電阻對地,旁路干擾信號就不會(huì )直通了,一般可以10~20K。


MOS管 ESD擊穿


這個(gè)電阻稱(chēng)為柵極電阻,作用1:為場(chǎng)效應管提供偏置電壓;作用2:起到瀉放電阻的作用(保護柵極G~源極S)。


第一個(gè)作用好理解,這里解釋一下第二個(gè)作用的原理:保護柵極G~源極S:場(chǎng)效應管的G-S極間的電阻值是很大的,這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓;


如果不及時(shí)把這些少量的靜電瀉放掉,他兩端的高壓就有可能使場(chǎng)效應管產(chǎn)生誤動(dòng)作,甚至有可能擊穿其G-S極;這時(shí)柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉,從而起到了保護場(chǎng)效應管的作用。




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