MOSFET正向導通、反向導通等效電路-KIA MOS管

功率MOSFET的正向導通等效電路

（1）：等效電路

（2）：說(shuō)明

功率 MOSFET 正向導通時(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門(mén)極驅動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅動(dòng)電壓升高，該電阻變小。詳細的關(guān)系曲線(xiàn)可從制造商的手冊中獲得。

功率MOSFET的反向導通等效電路（1）

（1）：等效電路（門(mén)極不加控制）

（2）：說(shuō)明

即內部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數情況下，因其特性很差，要避免使用。

功率MOSFET的反向導通等效電路（2）

（1）：等效電路（門(mén)極加控制）

（2）：說(shuō)明

功率 MOSFET 在門(mén)級控制下的反向導通，也可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門(mén)極驅動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅動(dòng)電壓升高，該電阻變小。

詳細的關(guān)系曲線(xiàn)可從制造商的手冊中獲得。此工作狀態(tài)稱(chēng)為MOSFET 的同步整流工作，是低壓大電流輸出開(kāi)關(guān)電源中非常重要的一種工作狀態(tài)。

功率MOSFET的正向截止等效電路

（1）：等效電路

（2）：說(shuō)明

功率 MOSFET 正向截止時(shí)可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環(huán)境溫度等有關(guān)，大小可從制造商的手冊中獲得。

功率MOSFET的穩態(tài)特性總結

（1）：功率MOSFET 穩態(tài)時(shí)的電流/電壓曲線(xiàn)

（2）：說(shuō)明

功率 MOSFET 正向飽和導通時(shí)的穩態(tài)工作點(diǎn)：

當門(mén)極不加控制時(shí)，其反向導通的穩態(tài)工作點(diǎn)同二極管。

（3）：穩態(tài)特性總結

-- 門(mén)極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導通狀態(tài)；當VgsVth時(shí)，器件處于導通狀態(tài)；器件的通態(tài)電阻與Vgs有關(guān)，Vgs大，通態(tài)電阻小；多數器件的Vgs為 12V-15V ，額定值為+-30V；

-- 器件的漏極電流額定是用它的有效值或平均值來(lái)標稱(chēng)的；只要實(shí)際的漏極電流有效值沒(méi)有超過(guò)其額定值，保證散熱沒(méi)問(wèn)題，則器件就是安全的；

-- 器件的通態(tài)電阻呈正溫度系數，故原理上很容易并聯(lián)擴容，但實(shí)際并聯(lián)時(shí)，還要考慮驅動(dòng)的對稱(chēng)性和動(dòng)態(tài)均流問(wèn)題；

-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態(tài)電阻很小；

包含寄生參數的功率MOSFET等效電路

（1）：等效電路

（2）：說(shuō)明

實(shí)際的功率MOSFET 可用三個(gè)結電容，三個(gè)溝道電阻，和一個(gè)內部二極管及一個(gè)理想MOSFET 來(lái)等效。三個(gè)結電容均與結電壓的大小有關(guān)，而門(mén)極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個(gè)溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時(shí)的通態(tài)電阻。

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