?MOS集成邏輯門(mén)電路|圖文并茂-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2021-11-26
(1)nmos反相器
設電壓vdd = 10v,開(kāi)啟電壓vt1 = vt2 = 2v
1、a輸入高電平vih = 8v
t1、t2均導通,輸出為低電平vol ≈0.3v
2、a輸入低電平v il = 0.3v時(shí),
t1截止t2導通,電路輸出高電平voh = vdd - vt2 = 8v。
故 電路執行邏輯非功能
(2)nmos門(mén)電路
工作原理
1、當兩個(gè)輸入端a和b均為高電平時(shí)
t1和t2都導通,輸出低電平
2、當輸出端有一個(gè)為低電平時(shí),
與低電平相連的驅動(dòng)管就截止,輸出高電平
注:增加扇入,只增加串聯(lián)驅動(dòng)管的個(gè)數,但扇入不宜過(guò)多,一般不超過(guò) 3
(3)cmos門(mén)電路
cmos反相器
工作原理
1、輸入為低電平vil = 0v時(shí)
vgs1<vt1 —t1管截止;
|vgs2| >vt2 —t2導通;
電路中電流近似為零(忽略t1的截止漏電流),vdd主要降落在t1上,輸出為高電平voh≈vdd
2、輸入為高電平vih = vdd時(shí),t1通t2止,vdd主要降在t2上,輸出為低電平vol≈0v
cmos傳輸門(mén)(tg門(mén))
工作原理
當c = vdd, c= 0v時(shí),
vi由0~(vdd-vt)范圍變化時(shí)tn導通
vi在vt~vdd范圍變化時(shí)tp導通
即vi在0~vdd范圍變化時(shí),tn、tp中至少有一只管子導通,使vo=vi,這相當于開(kāi)關(guān)接通,這種狀態(tài)稱(chēng)為傳輸門(mén)傳輸信息
1、當c 為低電平時(shí), tn、tp截止傳輸門(mén)相當于開(kāi)關(guān)斷開(kāi),傳輸門(mén)保存信息
2、當c為高電平時(shí), tn、tp中至少有一只管子導通,使vo=vi,這相當于開(kāi)關(guān)接通,傳輸門(mén)傳輸信息
由此可見(jiàn)傳輸門(mén)相當 于一個(gè)理想的開(kāi)關(guān),且是一個(gè)雙向開(kāi)關(guān)
cmos門(mén)電路
1、與非門(mén)
二輸入“與非”門(mén)電路結構如圖
2、“異或”門(mén)
輸入端a和b相同
當a = b = 0時(shí)
tg斷開(kāi),則c=b=1,f=c=0。
當a = b = 1時(shí),
tg接通,c = b = 1,反相器2的兩只mos管都截止,輸出f=0。
得:輸入端a和b相同, 輸出 f=0
輸入端a和b不同
當a = 1,b = 0時(shí),輸出f=1
當a = 0,b = 1時(shí),輸出f=1
得:輸入端a和b不同,輸出 f=1
(4) cmos電路的特點(diǎn)
1、功耗小:cmos門(mén)工作時(shí),總是一管導通另一管截止,因而幾乎不由電源吸取電流其功耗極小。
2、cmos功耗低內部發(fā)熱量小,集成度可大大提高。
3、抗幅射能力強,mos管是多數載流子工作,射線(xiàn)輻 射對多數載流子濃度影響不大。
4、電壓范圍寬:cmos門(mén)電路輸出高電平voh ≈ vdd,低電平vol ≈ 0v。
5、輸出驅動(dòng)電流比較大:扇出能力較大,一般可以大于50。
6、在使用和存放時(shí)應注意靜電屏蔽,焊接時(shí)電烙鐵應接地良好。
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