OCL電路的組成及工作原理分析-KIA MOS管

為了消除基本OCL電路所產(chǎn)生交越失真，應當設置合適的靜態(tài)工作點(diǎn)，使兩只放大晶體三極管均工作在臨界導通或微導通狀態(tài)。能夠消除交越失真的OCL電路如圖1所示。

圖（1）消除交越失真的OCL電路

在上圖中，靜態(tài)時(shí)，從+12V經(jīng)過(guò)R5、R6、D1、D2、R7、R8到GND有一個(gè)直流電流，它在Q1和Q2管兩個(gè)基極之間所產(chǎn)生的電壓為Ub1b2=UR6+UD1+UD2+UR7，

使Ub1b2略大于Q1管發(fā)射結和Q2管發(fā)射結開(kāi)啟電壓之和，從而使兩只管子均處于微導通態(tài)，即都有一個(gè)微小的基極電流，分別為Ib1和Ib2。調節R6和R7，可使發(fā)射極靜態(tài)電位Vout為0V，即輸出電壓Vo為0V。

當所加信號Ui按正旋規律變化時(shí)，由于二極管D1、D2的動(dòng)態(tài)電阻很小，而且R6和R7的阻值也比較小，因而可以認為Q1管基極電位的變化與Q2管基極電位的近似相等，即Ub1≈Ub2≈Ui。

也就是說(shuō)，可以認為兩管基極之間電位差基本是一個(gè)恒定值，兩個(gè)基極的電位隨Ui產(chǎn)生相同變化。

這樣，當Ui》2.5V且逐漸增大時(shí)Vbe1逐漸變大，Q1的基極電流Ib1隨之增大，發(fā)射極電流Ie1也必然增大，負載電阻RL上得到正方向的電流；與此同時(shí)，Ui的增大使Veb2減小，當減小到一定數值時(shí)，Q2管截至。

同樣道理，當Vi《2.5v且逐漸減小時(shí)， Veb2逐漸增大，Q2的基極電流Ib2隨之增大，發(fā)射極電流Ie2必然也會(huì )增大，負載電阻RL上得到負方向的電流；與此同時(shí)，Ui的減小，使Vbe1減小，當減小到一定數值時(shí)，Q1管截至。

這樣，即使Ui很小，總能保證至少有一個(gè)晶體三極管導通，因此消除了交越失真。Q1和Q2管在Ui的作用下，其輸入特性的中的圖解分析如下圖所示：

圖（1.1） 輸入特性的中的圖解分析

Q1和Q2靜態(tài)工作點(diǎn)以下，輸入信號越大到越小，到Q1截至，Ui無(wú)信號，Q1又回到了靜態(tài)工作點(diǎn)電流。

輸入信號越小到越大，到Q2截至，Ui很小的時(shí)候（無(wú)信號），Q2又回到了靜態(tài)工作點(diǎn)電流。

綜上所述，輸入信號的正半周主要是Q1管發(fā)射極驅動(dòng)負載，負半周主要是Q2管發(fā)射極驅動(dòng)負載，而且兩管的導通時(shí)間都比輸入信號的半個(gè)周期要長(cháng)，即在輸入電壓很小的時(shí)候，兩只管子同時(shí)導通，因而他們工作在甲乙類(lèi)狀態(tài)。

值得注意的是，若靜態(tài)工作點(diǎn)失調，例如R6、D1、D2、R7中的任意一個(gè)元器件虛焊，

則從12V經(jīng)過(guò)R5、Q1管的發(fā)射結，R9R10，Q2的發(fā)射結到R8到GND形成一條通路，有較大的基極電流Ib1和Ib2流過(guò)，從而導致Q1和Q2有很大的集電極電流Ic1和Ic2，

且每只管子的最大管壓降VCE都約等于12V，以至于Q1和Q2管可能因為功耗過(guò)大而損壞。因此，R9和R10的作用就非常重要了，可以分擔Q1Q2 的VCE的壓降。

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