開(kāi)關(guān)電源鉗位電路圖文詳細講解-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-11-19
一：如上圖紅框里面的電路是反激電源的鉗位電路，用的RCD鉗位，這一個(gè)電路在開(kāi)關(guān)電源中非常常見(jiàn)，可以說(shuō)現在市面上的反激大部分是用的這一電路。
設計這個(gè)電路的目的是吸收反激變壓器漏感的能量，限制MOS功率管的最大反向峰值電壓。
但是設計的時(shí)候我們怎么選取是一個(gè)很大的問(wèn)題，RC吸收損耗太重會(huì )影響整機的效率，如果RC損耗太輕的就會(huì )影響MOS管的電壓尖峰，導致尖峰太高M(jìn)OS管電壓應力超。
二：設計RCD吸收電路之前，我們要清楚為什么需要設計這一電路，目的是什么。對于反激變壓器都知道是有漏感存在的，首先需要知道漏感是一個(gè)什么。
我們知道變壓器主要是由初級線(xiàn)圈，次級線(xiàn)圈與磁芯組合而成，它是利用電磁感應的原理來(lái)改變交流電壓的一種元器件，理想的變壓器是沒(méi)有損耗的并且沒(méi)有漏磁通，
但是實(shí)際中的電感是有損耗與漏磁通，初級線(xiàn)圈所產(chǎn)生的磁通不能都通過(guò)次級線(xiàn)圈，產(chǎn)生漏磁的電感就是漏感，也就是說(shuō)在漏感中的能量是不能傳遞到副邊的，
這一部分能量只能在原邊，不能傳遞到副邊的這些能量我們的需要處理，可以通過(guò)一些電路來(lái)吸收掉，或是返回到輸入母線(xiàn)上去，這就有人會(huì )設計所謂的無(wú)損吸收，但是在實(shí)際應用中比較復雜并且EMI不好。
所以大多數都是用RCD損耗掉了，那我們設計RCD的目的就是把漏感能力吸收掉，但是不能把主回路的能量損耗掉，否則會(huì )影響整機的效率。要做到這點(diǎn)必須對RC 參數進(jìn)行優(yōu)化設計。
三：我們來(lái)分析下RCD吸收的整個(gè)過(guò)程，
當MOS管開(kāi)通的時(shí)候電感電流上升到Ip時(shí)MOS管關(guān)斷，漏感上的能力不能傳到副邊，這時(shí)候只能通過(guò)D6給C3充電，把所以的能力都充到C3上，
當C3比較小的時(shí)候，那么C3上的電壓Vc就上升的比較高，這時(shí)候為了MOS管的應力，我們可能會(huì )加大C3的容量，具體可以通過(guò)測試實(shí)際的波形來(lái)判斷。
但是，我們不希望電容太大，如太大會(huì )導致關(guān)斷的時(shí)候C3上的電壓Vc小于反射電壓Vr，導致副邊反射過(guò)來(lái)的電壓Vr一直在給RCD充電，導致整機效率低。
電容的選擇我們需要剛好適合我們MOS管的Vds電壓。
我們的電阻的選擇也不能太小了或太大，如果太小了會(huì )導致Q1沒(méi)有開(kāi)通前，C3上的電壓已經(jīng)掉到了反射電壓Vr了，這時(shí)候反射電壓Vr又會(huì )對RCD充電損耗輸出的能量。
電阻值太大會(huì )導致我們在開(kāi)機與短路的時(shí)候會(huì )出現MOS管電壓應力超
我們如圖上的C3上的電壓波形3一樣，就是關(guān)斷的時(shí)候電壓上升到Vr以上，當MOS管的開(kāi)通的時(shí)候C3電容上的電壓沒(méi)有下降到Vr，并且當下次開(kāi)通的時(shí)候C3上的電壓還沒(méi)有掉到0V.這是我們的最佳選。
四：鉗位電路上的電阻與電容的選擇。
VDS是MOS管的額定電壓，我了留有余量我們一般都是取MOS管的額度電壓的0.9倍。
Vc是RCD上C的電壓
Vin-max是輸入的最大電壓
Vc=0.9VDS-Vin-max
f為開(kāi)關(guān)頻率
Ip原邊的峰值電流
漏感上的能量都被電容吸收，然后都損耗到電阻R1上。
電阻上損失的功率Pr=Vc^2/R1,實(shí)際的電阻需要取2倍的Pr
漏感中轉過(guò)來(lái)的能量WR=Wlr1+Wlr*Vr/（Vc-Vr）
轉換成功率就是Pr=1/2*f*Lr*Ip^2{1+Vr/（Vc-Vr）}
Vc^2/R1=1/2*f*Lr*Ip^2{1+Vr/（Vc-Vr）}
R1=2(Vc-Vr)*Vc/(Ip^2*f*Lr)
鉗位電容C3的取值
△V一般取Vc的5%-10% ,
C3≥Vc/（△V*R1*f）
在電阻與電容選定后，實(shí)際的電路中還需要測試看是不是我們需要的值。
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