光耦合器電路設計詳解-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-11-15
電流傳輸比或僅CTR是集電極與正向電流之比，以百分比表示。
集電極電流是將流到光耦合器晶體管側的集電極的電流。另一方面，正向電流是流到光耦合器二極管側的電流。
基本上，二極管側通過(guò)器件電流傳輸比鏈接到晶體管側。除了這些信息之外，光耦合器電路的設計就像設計普通電路一樣，其中使用的是KVL，KCL，歐姆定律等。
1.選擇電路結構
不要使電路復雜化。零件數越少，兩種方法越好。第一個(gè)原因當然是成本較低。另一個(gè)原因是，零件越少，總故障率越低，電路可靠性也越高。
假設只想將信號從初級側控制器傳輸到次級控制器，則電路必須如下所示。
上面的電路配置是一個(gè)逆變器。如果需要同相信號，可以使用以下結構。
如果要使晶體管飽和，則第一電路通常是反相電路。但是，如果將電路偏置為在線(xiàn)性區域內工作，則Vout節點(diǎn)處的電壓會(huì )高于零。
第二電路是同相配置，可與BJT的公共集電極配置相提并論。但是由于存在基極電流，BJT共集電極比該電路更復雜。
光耦合器電路設計的下一步是選擇一個(gè)光耦合器部件。這樣做時(shí)，必須考慮的應用程序。如果的應用程序是交換機，則必須選擇具有更高最低CTR的設備。
如果的應用是線(xiàn)性的，則可以考慮使用點(diǎn)擊率范圍窄的應用。緊密的點(diǎn)擊率將對應較小的變化。
光耦合器電路設計的下一步是選擇一個(gè)光耦合器部件。這樣做時(shí)，必須考慮的應用程序。如果的應用程序是交換機，則必須選擇具有更高最低CTR的設備。
如果的應用是線(xiàn)性的，則可以考慮使用點(diǎn)擊率范圍窄的應用。緊密的點(diǎn)擊率將對應較小的變化。
可以將以上電路配置為在線(xiàn)性或飽和區域工作。理想情況下，在飽和狀態(tài)下，Vout節點(diǎn)為零，而在線(xiàn)性上高于零但低于Vcc。當二極管側無(wú)偏壓時(shí)，Vout的電平與Vcc完全相同。
因此，如果將電路設計為開(kāi)關(guān)，則理想情況下，光耦合器導通時(shí)必須假定VCE或Vout為零。如果應用程序是線(xiàn)性的，則必須在Vout節點(diǎn)中定義要在設計中使用的特定級別。
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