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場(chǎng)效應管G極電壓可以大于D極電壓?jiǎn)幔吭斀?KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2021-11-04 

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場(chǎng)效應管G極電壓可以大于D極電壓?jiǎn)幔吭斀?KIA MOS管


場(chǎng)效應管-電壓

N溝道場(chǎng)效應管柵極(G極)電壓是否可以大于漏極(D極)電壓?為什么?答案:完全是可以的;場(chǎng)效應管完全導通時(shí)其G極電壓就比D極電壓高。


N溝道場(chǎng)效應管

場(chǎng)效應管有N溝道和P溝道兩種類(lèi)型,共有3個(gè)極:柵極(G極)、漏極(D極)和源極(S極),其中G極屬于驅動(dòng)端,G極與S極有相應的壓差,管子才導通。


場(chǎng)效應管與三極管不同,屬于壓控元件(三極管屬于電流元件),柵極輸入阻抗很大(約10^7Ω~10^12Ω),電流很小幾乎為零。


以N溝道場(chǎng)效應管為例進(jìn)行說(shuō)明,下圖為N溝道場(chǎng)效應管的結構及符號。

場(chǎng)效應管 電壓


場(chǎng)效應管也有三個(gè)工作區間:截止區(夾斷區)、可變電阻區和恒流區(飽和區)。


截止區:VGS<VGS(th),VGS(th)為管子的開(kāi)啟電壓,此期間漏極-源極之間的阻抗很大,ID電流幾乎為零(一般μA級以下),相當于開(kāi)路。


可變電阻區:VGS(th)<VGS<VGS(飽和),當VGS兩端的電壓達到管子的開(kāi)啟電壓時(shí),漏極開(kāi)始有電流,此時(shí)漏極-源極的阻抗比較大,VGS持續增大,阻抗隨之減小,此區間ID與VGS呈線(xiàn)性關(guān)系。


恒流區(飽和區):當VGS繼續增大,漏極電流(ID)不再增大(趨于穩定)時(shí),此區間屬于恒流區,也就是管子完全飽和狀態(tài)。


管子飽和時(shí),漏極-源極的阻抗(內阻)很小,都是mΩ數量級,比如50mΩ、8mΩ等,質(zhì)量較好的大電流場(chǎng)效應管其飽和內阻可達1mΩ/2mΩ,甚至更小。


N溝道場(chǎng)效應管應用實(shí)例

如下圖為使用3.3V的I/O口控制N溝道場(chǎng)效應管的原理,由于場(chǎng)效應管的飽和控制電壓VGS一般6V~10V,因此不能直接使用3.3V電平的IO口直接控制場(chǎng)效應管。


該原理通過(guò)NPN三極管驅動(dòng)場(chǎng)效應管,因為三極管屬于電流驅動(dòng),一般電壓大于0.6V即可驅動(dòng)三極管。該原理的具體過(guò)程為:


當I/O口為高電平(3.3V)時(shí),三極管Q1導通,將場(chǎng)效應管Q2的柵極電壓拉低(幾乎為0V),此時(shí)VGS≈0V,場(chǎng)效應管Q2截止,負載不工作;


當IO口輸出低電平時(shí),三極管Q1基極電壓為0,三極管截止,場(chǎng)效應管Q2柵極電壓由24V經(jīng)10K和20K分壓得到8V電壓,即VGS=8V,場(chǎng)效應管Q2導通(飽和),負載工作。


場(chǎng)效應管 電壓


實(shí)例是使用場(chǎng)效應管的截止/飽和區將場(chǎng)效應管當電子開(kāi)關(guān)控制負載,在實(shí)際應用中,場(chǎng)效應管當開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合很多,但場(chǎng)效應管的作用不僅僅只是開(kāi)關(guān),場(chǎng)效應管的輸入阻抗很高,可作為多級放大電路的輸入級提高輸入阻抗,也可以作為恒流源、可變電阻使用。


熟悉場(chǎng)效應管的原理及應用之后,答案已經(jīng)很明了了,N溝道的場(chǎng)效應管的恒流區(飽和區)柵極(G極)和源極(S極)之間施加電壓一般6V~10V(管子飽和驅動(dòng)電壓),當管子達到飽和時(shí)其內阻很小,都是mΩ級別,小的可達幾mΩ。


如上圖例子,假設該管子內阻為20mΩ,負載電流為5A,管子飽和時(shí)VDS=20mΩ×5A=0.1V,而驅動(dòng)電壓VGS=8V,源極S接地,因此G極的電壓為8V而D極的電壓只有0.1V,可見(jiàn)G極的電壓明顯比D極高。


總結:在管子各極所能承受的電壓范圍內,柵極(G極)的電壓是可以高于漏極(D極)電壓的,場(chǎng)效應管之所以能夠廣泛應用,是因為其有很多優(yōu)點(diǎn),比如輸入阻抗高,穩定性好,輸出端對輸入端影響很小;


驅動(dòng)負載能力強,在中小電流場(chǎng)合壓降小;熱穩定性好,噪聲低,失真小。因此中小電流場(chǎng)合場(chǎng)效應管占優(yōu)勢,但在大電流場(chǎng)合晶體管、IGBT占優(yōu)勢。


場(chǎng)效應管 電壓




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