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電路設計中電壓跌落問(wèn)題解決方法-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2021-11-03 

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電路設計中電壓跌落問(wèn)題解決方法-KIA MOS管


電路-電壓跌落問(wèn)題

在電路設計中,我們設計一個(gè)系統的PMIC模塊時(shí),首先要考慮的就是負載功率多大、電流的最大值、電壓紋波要求等,然后根據這些要求去選型,但是在有些電路中會(huì )有前提條件,


比如說(shuō)某些電子產(chǎn)品要求用USB2.0供電,但是瞬時(shí)功率肯定大于了USB2.0口的最大供電功率,下圖是USB接口的供電能力。


電路 電壓跌落


從上圖就可以看出USB 2.0接口最大輸出的電功率為2.5W,USB 3.0接口輸出的最大功率為4.5W。


舉個(gè)栗子:

比如在一個(gè)電子系統中,我們要求模組用USB2.0供電,系統電路中有大電流負載瞬時(shí)功率為5V x 5A,這種情況下,如果電路還是按常規的電源原則設計,做出的產(chǎn)品一定會(huì )有問(wèn)題,輕則負載不工作,重則系統不斷重啟或者也不工作。


遇到上面這種情況應該如何解決?


2.原因分析

上面舉的栗子就是典型的供電功率不夠,工作瞬間造成電路中關(guān)鍵的電壓跌落,超出了某些芯片的允許的范圍,在示波器上的表現如下:


電路 電壓跌落


圖中的波形是USB接口接入板卡后,測試的5V波形,其中凹陷的地方就是電壓產(chǎn)生的跌落。


3.解決方法

要解決電壓跌落的問(wèn)題,首先要確定是哪一部分的電路,一般情況下都是大電流的電路,可以在具體電路中進(jìn)一步確定。


確定的具體的電路模塊后,就可以分析用哪種方法去補償這些跌落,可以選擇在負載供電的位置并聯(lián)低ESR的鉭電容或者電解電容(如果對PCB尺寸要求高,用鉭電容比較合適),那么電容的容值如何確定?


滿(mǎn)足負載續航時(shí)間的電容容量求取方法:

電路正常工作時(shí)的輸入功率為P,儲能電容的容量為C,兩端的電壓為U1,則電容儲存的能量為W1=C(U12)/2,其中U12 表示U1的平方。


當輸入電源掉電后,經(jīng)過(guò)時(shí)間t,電容兩端的電壓為U2,此時(shí)電容剩余電量:

W2=C(U2**2)/2

這一過(guò)程中儲能電容釋放的能量為

W=W1-W2=C(U12-U22)/2

他等于電路維持正常工作所需的能量

W=Pt,(即輸入功率乘以時(shí)間)


所以有

C(U12-U22)/2=Pt

由此就可以得到電路維持時(shí)間t所需的最小電容容量為

C=2Pt/(U12-U22)

在實(shí)際應用中,U2是電路能夠正常工作的最低輸入電壓。


下面舉例說(shuō)明:

若電路正常工作時(shí)的輸入電壓為12V(U1),輸入功率為5W(P),能夠正常工作的最低輸入電壓為11V(U2),要求輸入電源掉電5ms(t)時(shí)電路仍然能夠正常工作,則所需儲能電容的最小電容量為


C=2Pt/(U12-U22)

=255/(122-112)

=2.174mF =2174uF


上述求取電容量的方法適用于直流電路,對于交流電路還要根據具體情況進(jìn)行分析。




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