PMOS過(guò)壓保護電路原理圖及分析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-11-02
VB:蓄電池電壓電源
V18_PTB5: MCU IO口，發(fā)出高電平使VB_PMOS電壓輸出有效，TTL電平
VB_PMOS：經(jīng)過(guò)PMOS保護電壓輸出
VB_P_PROT：經(jīng)二極管反向保護的PMOS輸出電壓
PMOS過(guò)壓保護電路原理圖
電路功能：若控制器中使用loaddump保護電壓小于46V的器件，可以使用此電路模塊中的方案為這些器件提供過(guò)壓保護，特別是在load dump情況下。
Pspice仿真分析:模擬的是典型情況下的經(jīng)過(guò)TVS管抑制后的Load dump電壓曲線(xiàn)，可以明顯看出當VB>36V時(shí)，穩壓管開(kāi)始起作用，迅速關(guān)閉Q411和PMOS管。
只要過(guò)壓信號一直存在，PMOS管就會(huì )一直保持關(guān)斷狀態(tài)，直至VB跌落回36V安全電壓以?xún)取?/span>
綠色、紅色曲線(xiàn)分別對應為VB_P_PROT，VB
穩壓管取值:Accuracy為穩壓管的精度，VZ 是穩壓管在25℃下的標稱(chēng)值，SZ是穩壓管的溫度系數，△T是溫度變化，即T-25℃， Vz’’(max)是最壞情況下的穩壓值。
若需要Q410導通，點(diǎn)A電壓需要650mV，即使忽略R411上面的電壓，點(diǎn)B的電壓也要至少有650mV，如果出現最?lèi)毫拥墓r，D410的穩壓值出現41.964V的情況，那么，VB的電壓至少也得有42.65V。
這時(shí)，某些需要保護的器件可能已經(jīng)失效，電路無(wú)法達到預期效果。所以建議使用36V的穩壓管。但是，36V穩壓管在低溫-40℃時(shí)，有可能會(huì )提前工作，即35V下就會(huì )使Q410動(dòng)作。
PMOS參數計算
根據計算，
Rth(j-a)*Pmax=Tj(max)-Ta,
Pmax=1.8W
ID(max) 2* Rds(on) =Pmax
ID(max)=10.95A
受PMOS保護的Vbat電源負載電流不能超過(guò)10.95A
ISO7637實(shí)驗驗證
i. 試驗條件：Us=30V；Ua=27V；Ri=5.5Ohm；Td=350mS；Pload=10w
ii. 試驗結果：電路功能狀態(tài)正常
iii. 試驗電路監測點(diǎn)及試驗結果波形如下圖
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