電源適配器噪聲問(wèn)題與解決方法分享-KIA MOS管

電源適配器噪聲產(chǎn)生原因

傳導干擾概念：傳導干擾主要評估輸入和輸出線(xiàn)上流過(guò)的干擾噪聲。待測試的設備EUT通過(guò)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò )LISN 連接到干凈的交流電源上。

（一）LISN的作用如下

1.隔離待測試設備EUT和交流輸入電源，濾除由輸入電源線(xiàn)引入的噪聲及干擾。

2.EUT產(chǎn)生的干擾噪聲依次通過(guò)LISN內部的高通濾波器和50 ?電阻，在50 ?電阻上得到相應的信號值送到接收機進(jìn)行分析。

（二）測試原理分析

傳導干擾來(lái)源于差模電流噪聲和共模電流噪聲，這兩種類(lèi)型的噪聲干擾如下圖所示：

電源適配器噪聲

圖2：差模電流和共模電流

1.差模電流在兩根輸入電源線(xiàn)間反方向流動(dòng)，兩者相互構成電流回路，即一根作為差模電流的源線(xiàn)，一根作為差模電流的回線(xiàn)。

2.共模電流在兩根輸入電源線(xiàn)上同方向流動(dòng)，它們分別與大地構成電流回路，即同時(shí)作為共模電流的源線(xiàn)或回線(xiàn)。

電源適配器噪聲產(chǎn)生原因及解決方法

（一）共模電流

1.共模電流產(chǎn)生原因

共模電流在輸入及輸出線(xiàn)與大地間流動(dòng)，其產(chǎn)生主要是功率器件高頻工作時(shí)產(chǎn)生的電壓的瞬態(tài)的變化。

共模電流的產(chǎn)生主要有下面幾部分：

① 通過(guò)MOSFET源級到大地的電容Cde。如果改進(jìn)IC的設計，如對于單芯片電源芯片，將MOSFET源極連接到芯片基體用于散熱，而不是用漏極進(jìn)行散熱，這樣可以減小漏極對大地的寄生電容。

PCB布線(xiàn)時(shí)減小漏極區銅皮的面積可減小漏極對大地的寄生電容，但要注意保證芯片的溫度滿(mǎn)足設計的要求。

②通過(guò)Cm 和Cme產(chǎn)生共模電流。

③ 通過(guò)Ca 和 Cme產(chǎn)生共模電流。

④ 通過(guò)Ct 和Coe產(chǎn)生共模電流。

⑤ 通過(guò)Cs 和Coe產(chǎn)生共模電流，這部分在共模電流中占主導作用。

減小漏極電壓的變化幅值及變化率可減小共模電流，如降低反射電壓，加大漏源極電容，但這樣會(huì )使MOSFET承受大的電流應力，其溫度將增加，同時(shí)加大漏源極電容產(chǎn)生更大的磁場(chǎng)發(fā)射。

電源適配器噪聲

圖3：共模電流產(chǎn)生

2.解決方法

（1）增加Y電容

電源適配器噪聲

圖4： Y電容作用

電壓如果系統加了Y電容，由圖4所示，通過(guò)Cs的大部分的共模電流被Y 電容旁路，返回到初級的地，因為Y電容的值大于Coe。

Y電容必須直接并用盡量短的直線(xiàn)連接到初級和次級的冷點(diǎn)。作為一個(gè)規則，如果開(kāi)通MOSFET的dV/dt大于關(guān)斷時(shí)的值，Y電容連接到初級的地。反之連接到Vin。

強調：電壓沒(méi)有變化的點(diǎn)稱(chēng)為靜點(diǎn)或冷點(diǎn)，電壓變化的點(diǎn)稱(chēng)為動(dòng)點(diǎn)或熱點(diǎn)。初級的地和Vin都是冷點(diǎn)，對于輔助繞組和輸出繞組，冷點(diǎn)可以通過(guò)二極管的位置進(jìn)行調整。

圖5中，A，Vcc，Vin和Vo為冷點(diǎn)，D，F和G 為熱點(diǎn)。

電源適配器噪聲