IGBT尖峰電壓吸收電路圖文詳解-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-10-15
關(guān)斷IGBT時(shí)由于電感中儲存有能量，集電極-發(fā)射極間會(huì )發(fā)生浪涌電壓。緩沖電路可以抑制施加在IGBT上的過(guò)電壓和關(guān)斷損耗的增加。這是由于緩沖電容器可以分擔關(guān)斷時(shí)的一部分能量。務(wù)必妥當處理電容器所吸收的能量。
RCD 緩沖電路：
關(guān)斷開(kāi)關(guān)時(shí)儲存的能量 : 1/2?LiC2
e+＝ L?diC/dt
如果Cs能夠完全吸收L的能量
1/2?LiC2＝1/2?Cs?Δe2
即成立，因此
Δe＝ i0×√L/Cs
RCD緩沖電路的損耗：
把緩沖電路安裝在每個(gè)IGBT上比安裝在直流母線(xiàn)和地線(xiàn)之間更有效。
但是，存在Rs上損耗較大的問(wèn)題。Rs上的損耗是LiC2與開(kāi)關(guān)頻率的乘積，L為0.2μH、iC為100A、開(kāi)關(guān)頻率為10kHz時(shí)損耗為20W。
此時(shí)，在3相橋路電路中，僅緩沖電路的損耗就有120W。可以通過(guò)控降低頻率或向電源再生能量來(lái)減少損耗。
為了降低Δe，首先減小L（主電路的分布電感）尤為重要。Cs隨電感變小而變小。
Vs是（配線(xiàn)電感）×-dic/dt、Ds的正向恢復電壓以及（Cs的分布電感）×-dic/dt的總和。
下述要點(diǎn)可以使緩沖電路更有效。
以更低的-dic/dt為驅動(dòng)條件驅動(dòng)IGBT。（降低IGBT的關(guān)斷速度）
減小主電路配線(xiàn)的電感。為此設法將電源（電解）電容器放在盡可能靠近IGBT模塊的位置，使用銅板配線(xiàn)，實(shí)施分層布置等。
緩沖電路也應放在模塊的附近，Cs應采用薄膜電容器等頻率特性好的元件。
Ds使用正向導通壓降小，反向軟恢復型超快速二極管。
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