常用的IGBT單體緩沖吸收電路分享-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2021-10-15
RS單體吸收電路
( 1 )抑制關(guān)斷浪涌電壓效果好。
( 2 )最適用于斬波器。
( 3 ) IGBT容量較大時(shí), R1 , R2阻值選取小,開(kāi)通時(shí)增加了IGBT集電極的容性開(kāi)通電流,損耗增加,IGBT的功能受到限制。
充電RCD單體吸收電路
( 1 )可抑制關(guān)斷浪涌電壓。
( 2 )充放電型RCD緩沖電路由于增加了二極管VDS ,可使R3、 R4增大,避免了IGBT功能受限制。
( 3 )緩沖電路的損耗相當大。
( 4 )因損耗大而不適用于高頻開(kāi)關(guān)用途。
放電阻止型單體吸收電路
( 1 )具有較好抑制關(guān)斷浪涌電壓效果。
( 2 )緩沖電路產(chǎn)生的損耗小。
( 3 )最適合于高頻開(kāi)關(guān)用途。
C整體吸收電路
( 1 )線(xiàn)路最簡(jiǎn)單。
( 2 )利用C7旁路浪涌尖峰電壓。
( 3 ) C7取值不當,易與主回路電感L S構成諧振而產(chǎn)生振蕩。
( 4 ) C7的取值根據能量守恒原理可求取。
RCD整體吸收電路
( 1 )線(xiàn)路相當簡(jiǎn)單。
( 2 )適用于各種逆變器。
( 3 ) VDS要示正向恢復電壓VFM小,反向恢復時(shí)間短,軟恢復的二_極管,以降低Vcep值。 關(guān)斷損耗,避免引起振蕩。
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話(huà):0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助