輕松解決反激開(kāi)關(guān)管的Vds電壓尖峰問(wèn)題-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-10-13
首先來(lái)看看MOS應力公式：（理想化處理，不影響結論）
Vds=Vin+n*Vo+Vspike
=Vin+n*Vo+Ipk*（Lk/C1）0.5
這里兩個(gè)主要參數的意義：
1、Lk是變壓器漏感（實(shí)際還應包含PCB寄生電感）；
2、C1為RCD鉗位電容（實(shí)際還應包含MOS DS兩端的電容，一般遠小于C1，故忽略）。
降低開(kāi)關(guān)管Vds電壓尖峰--如圖：
對于大家碰到的開(kāi)關(guān)管Vds電壓尖峰問(wèn)題，90%以上可以采用圖中的方法解決，不再為電壓尖峰煩惱。
針對本文總結：
1、本文目的是針對反激開(kāi)關(guān)管的Vds電壓尖峰問(wèn)題進(jìn)行定性分析，從而為降低此尖峰提供指導方向，并不是要去計算它。
可能很多人，不知道其的復雜，都希望用公式計算，這里是很難精確計算的，因為影響因素太多，要計算也需要做一些假設和處理。
2、根據上圖，相信可以解決大部分Vds尖峰電壓?jiǎn)?wèn)題。
3、如果圖中采用的方法還解決不掉，就需要更加細化，可以采用以下幾個(gè)整改方向：
A、layout走線(xiàn)優(yōu)化（功率回路盡量短，使pcb電感盡量小；同時(shí)也注意RCD的走線(xiàn)，這里除了會(huì )影響尖峰，也會(huì )影響傳導的高頻段和輻射）；
B、調整RCD中的D；（需要重新確認效率、傳導、輻射）
C、調整RCD中的R；（需要重新確認效率、傳導、輻射）
D、一般Rsense到IC CS pin都有個(gè)RC，調整RC時(shí)間常數；（需要重新確認過(guò)功率點(diǎn)）
E、調整副邊二極管的吸收參數。（需要重新確認效率、傳導、輻射）
根據圖一，加上以上的方法，基本上可以解決所有電壓尖峰問(wèn)題。
對于反激的大部分應用，用600V的MOS就夠了。當然了，有特殊要求，如有較大裕量要求的，可能就要用更高耐壓的MOS了，但一般對效率不利。
實(shí)測的MOS Vds的波形：
圖一：尖峰電壓1>尖峰電壓2
圖二：尖峰電壓1<尖峰電壓2
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