混合集成電路特點(diǎn)、應用詳細解析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2021-10-11
混合集成電路（HIC），是單獨的裝置，例如半導體器件的構造的小型化的電子電路（例如晶體管，二極管或單片集成電路）和無(wú)源元件（例如電阻器、電感器、變壓器和電容器），并粘結到基板或印刷電路板（PCB）上。
在PCB上具有一個(gè)部件印刷線(xiàn)路板根據MIL-PRF-38534的定義，（PWB）不被視為真正的混合電路。
混合集成電路是由半導體集成工藝與薄（厚）膜工藝結合而制成的集成電路。
混合集成電路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互連線(xiàn)，并在同一基片上將分立的半導體芯片、單片集成電路或微型元件混合組裝，再外加封裝而成。
與分立元件電路相比，混合集成電路具有組裝密度大、可靠性高、電性能好等特點(diǎn)。相對于單片集成電路，它設計靈活，工藝方便，便于多品種小批量生產(chǎn)；
并且元件參數范圍寬、精度高、穩定性好，可以承受較高電壓和較大功率。
混合集成電路是將一個(gè)電路中所有元件的功能部分集中在一個(gè)基片上，能基本上消除電子元件中的輔助部分和各元件間的裝配空隙和焊點(diǎn)，因而能提高電子設備的裝配密度和可靠性。
由于這個(gè)結構特點(diǎn)，混合集成電路可當作分布參數網(wǎng)絡(luò )，具有分立元件網(wǎng)路難以達到的電性能。
混合集成電路的另一個(gè)特點(diǎn)，是改變導體、半導體和介質(zhì)三種膜的序列、厚度、面積、形狀和性質(zhì)以及它們的引出位置得到具有不同性能的無(wú)源網(wǎng)路。
制造混合集成電路常用的成膜技術(shù)有兩種：網(wǎng)印燒結和真空制膜。用前一種技術(shù)制造的膜稱(chēng)為厚膜，其厚度一般在15微米以上，用后一種技術(shù)制造的膜稱(chēng)為薄膜，厚度從幾百到幾千埃。
若混合集成電路的無(wú)源網(wǎng)路是厚膜網(wǎng)路，即稱(chēng)為厚膜混合集成電路；若是薄膜網(wǎng)路，則稱(chēng)為薄膜混合集成電路。
為了滿(mǎn)足微波電路小型化、集成化的要求，又有微波混合集成電路。這種電路按元件參數的集中和分布情況，又分為集中參數和分布參數微波混合集成電路。
集中參數電路在結構上與一般的厚薄膜混合集成電路相同，只是在元件尺寸精度上要求較高。而分布參數電路則不同，它的無(wú)源網(wǎng)路不是由外觀(guān)上可分辨的電子元件構成，而是全部由微帶線(xiàn)構成。
對微帶線(xiàn)的尺寸精度要求較高，所以主要用薄膜技術(shù)制造分布參數微波混合集成電路。
為便于自動(dòng)化生產(chǎn)和在電子設備中緊密組裝，混合集成電路的制造采用標準化的絕緣基片。最常用的是矩形玻璃和陶瓷基片，可將一個(gè)或幾個(gè)功能電路制作在一塊基片上。
制作過(guò)程是先在基片上制造膜式無(wú)源元件和互連線(xiàn)，形成無(wú)源網(wǎng)絡(luò )，然后安裝上半導體器件或半導體集成電路芯片。膜式無(wú)源網(wǎng)絡(luò )用光刻制版和成膜方法制造。
在基片上按照一定的工藝順序，制造出具有各種不同形狀和寬度的導體、半導體和介質(zhì)膜。把這些膜層相互組合，構成各種電子元件和互連線(xiàn)。
在基片上制作好整個(gè)電路以后，焊上引出導線(xiàn),需要時(shí),再在電路上涂覆保護層，最后用外殼密封即成為一個(gè)混合集成電路。
混合集成電路的應用以模擬電路、微波電路為主，也用于電壓較高、電流較大的專(zhuān)用電路中。例如便攜式電臺、機載電臺、電子計算機和微處理器中的數據轉換電路、數-模和模-數轉換器等。在微波領(lǐng)域中的應用尤為突出。
混合集成技術(shù)的發(fā)展趨勢是：
①用多層布線(xiàn)和載帶焊技術(shù)，對單片半導體集成電路進(jìn)行組裝和互連，實(shí)現二次集成，制作復雜的多功能、高密度大規模混合集成電路。
②無(wú)源網(wǎng)路向更密集、更精密、更穩定方面發(fā)展,并且將敏感元件集成在它的無(wú)源網(wǎng)路中,制造出集成化的傳感器。
③研制大功率、高電壓、耐高溫的混合集成電路。④改進(jìn)成膜技術(shù)，使薄膜有源器件的制造工藝實(shí)用化。⑤用帶互連線(xiàn)的基片組裝微型片狀無(wú)引線(xiàn)元件、器件，以降低電子設備的價(jià)格和改善其性能。
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