靜態(tài)分析場(chǎng)效應管的放大電路-KIA MOS管
信息來(lái)源:本站 日期:2021-10-09
根據偏置電路形式,場(chǎng)效應管放大電路的直流通路分為自給偏壓電路和分壓式偏置電路。
自給偏壓電路
用N溝道結型場(chǎng)效應管組成的自給偏壓電路如圖所示。
自給偏壓原理:在正常工作范圍內,場(chǎng)效應管的柵極幾乎不取電流,IG= 0,所以,UG = 0,當有IS = ID流過(guò)RS時(shí),
必然會(huì )產(chǎn)生一個(gè)電壓Us=IsRs=IdRs,從而有:
UGS = UG- US= - IDRS
依靠場(chǎng)效應管自身的電流ID 產(chǎn)生了柵極所需的負偏壓,故稱(chēng)為自給偏壓。
為了減小RS對放大倍數的影響,在RS 兩端并聯(lián)了一個(gè)旁路電容 Cs。
估算靜態(tài)工作點(diǎn),由圖所示電路的直流通路可得:
UGS = UG- US= - IDRSGS0223
UDS = ED - ID(RS + Rd) GS0224
結型場(chǎng)效應管的轉移特性可近似表示為:
中IDSS為飽和漏電流,VP為夾斷電壓。
聯(lián)立求解GS0223~GS0225各式,便可求得靜態(tài)工作點(diǎn)Q(ID,UGS,UDS)。
分壓式偏置電路
由于參數IDSS ,VP 等與溫度有關(guān),因此,場(chǎng)效應管放大電路也要設法穩定靜態(tài)工作點(diǎn)。
實(shí)際上,自給偏壓電路就具有一定的穩定Q點(diǎn)的能力。
例如:溫度升高使ID增加時(shí),US也隨之增加,從而使UGS 更負,反過(guò)來(lái)又抑制了ID的增大。
但如果對溫度穩定性要求更高時(shí),單純靠增大RS來(lái)穩定Q點(diǎn),勢必會(huì )導致Au下降,甚至產(chǎn)生嚴重的非線(xiàn)性失真。
圖所示的分壓式偏置電路,通過(guò)R1與R2分壓,給柵極一個(gè)固定的IE電壓,這樣就可以把RS選的比較大,而Q點(diǎn)又不致于過(guò)低。
圖中Rg的主要作用是增大輸入電阻,進(jìn)一步減小柵極電流。
對分壓式偏置電路,在確定靜悉工作點(diǎn)時(shí),同樣可用圖解法和計算法。與自給偏壓電路不同之處是UG≠0。只需將柵源回路直流負載線(xiàn)方程改為:
聯(lián)系方式:鄒先生
聯(lián)系電話(huà):0755-83888366-8022
手機:18123972950
QQ:2880195519
聯(lián)系地址:深圳市福田區車(chē)公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助