二極管開(kāi)關(guān)過(guò)程、EMI問(wèn)題詳細分析-KIA MOS管

二極管的開(kāi)關(guān)過(guò)程

二極管的單向導通性、大于某電壓就導通等基本特性我們非常熟悉，但是隨著(zhù)工作的深入會(huì )發(fā)現僅知道這些是不夠的，特別是大功率設備或者面臨EMI的問(wèn)題時(shí)。

所以我們需要對二極管有個(gè)更深入的認識，今天就著(zhù)重講述二極管的開(kāi)關(guān)過(guò)程（也叫二極管的動(dòng)態(tài)特性）及其帶來(lái)的影響。

任何開(kāi)關(guān)器件的狀態(tài)切換并不是一蹴而就的，在這切換的期間發(fā)生了什么是工程師值得注意的地方。因為結電容的存在，二極管在零偏置、正向導通、反向截止這三個(gè)狀態(tài)之間切換時(shí)，會(huì )有一個(gè)過(guò)渡。

開(kāi)通（零偏置轉換為正向導通）

二極管的開(kāi)通并不是說(shuō)其正向壓降大于某個(gè)電壓（比如0.7V）就直接導通，且之后正向壓降就是0.7V了。

實(shí)際上應該是當其正向壓降從零開(kāi)始增大到一個(gè)過(guò)沖電壓VFP后才逐漸趨于一個(gè)穩定的電壓（如2V），這期間正向電流不斷增大。把這段時(shí)間叫做正向恢復時(shí)間 tfr。

如下圖-1如示：

圖-1：零偏置轉換為正向導通

也就是說(shuō)二極管的導通瞬間會(huì )產(chǎn)生一個(gè)正向尖峰電壓，且要大于穩態(tài)電壓UF。而這個(gè)過(guò)沖電壓，隨di/dt的增大而增大。

關(guān)斷（正向導通轉換為反向截止）

當給二極管施加一個(gè)反向電壓時(shí)并不能使之馬上阻斷，而是需要一定的時(shí)間。在這段時(shí)間里會(huì )有電壓和電流的過(guò)沖。而這段時(shí)間就是我們常說(shuō)的反向恢復時(shí)間 trr。

如下圖-2：

圖-2：正向導通轉換為反向截止

tF時(shí)刻，二極管的外加電壓發(fā)生改變；

t0時(shí)刻，正向電流下降到為零，但是二極管還不能恢復到阻斷的狀態(tài)；

t1時(shí)刻，反向電流達到最大IRP，隨后反向過(guò)沖電壓也達到最大URP。反向電流隨后迅速下降，可以看到這段曲線(xiàn)與電容的放電曲線(xiàn)類(lèi)似，事實(shí)上，它也正表示了結電容放電復位的過(guò)程。

t2時(shí)刻，電流幾乎不再變化，二極管恢復對反向電壓的阻斷能力。

以上這些有什么用？

二極管開(kāi)關(guān)瞬間存在損耗。在二極管開(kāi)通和關(guān)斷的瞬間，電流和電壓相乘并不為零，所以存在開(kāi)關(guān)損耗。

這與MOSFET作為硬開(kāi)關(guān)時(shí)的開(kāi)關(guān)波形類(lèi)似。所以在大功率和高頻（開(kāi)關(guān)次數多）的場(chǎng)合下這個(gè)損耗更甚，不能忽視。

二極管開(kāi)關(guān)瞬間帶來(lái)EMI問(wèn)題。可以看到二極管在開(kāi)關(guān)瞬間會(huì )產(chǎn)生過(guò)沖電壓和尖峰電流，這樣高的dv/dt和di/dt 必然會(huì )引發(fā)EMI問(wèn)題。

通常反向恢復電流的尖峰與EMI中的傳導相關(guān)，所以我們經(jīng)常在小功率的場(chǎng)合里會(huì )在二極管的兩端并聯(lián)RC以吸收這個(gè)尖峰。

還有，尖峰電流過(guò)后可能還會(huì )伴隨著(zhù)一段時(shí)間的震蕩，這個(gè)震蕩與EMI中的輻射相關(guān)，所以有時(shí)候我們會(huì )在二極管上套一個(gè)磁環(huán)。

所以，為了避免這些問(wèn)題，有時(shí)我們會(huì )選用快恢復二極管或者肖特基二極管，它們的恢復時(shí)間很短。

順便說(shuō)一下，正向恢復時(shí)間遠小于反向恢復時(shí)間，所以我們在二極管的器件手冊上通常看到不到關(guān)于正向恢復時(shí)間的參數。

二極管中的結電容CT不可忽略，當其與電路中的寄生電感結合時(shí)會(huì )產(chǎn)生諧波頻率，引發(fā)EMI問(wèn)題。

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